Иро изменения ким 2018 по математике: ФГБНУ «ФИПИ»

Официальный сайт МБОУ Лицей №68 г. Уфа

Федеральный институт педагогических измерений (ФИПИ) опубликовал на своем сайте проекты контрольных измерительных материалов (КИМ) государственного выпускного экзамена (ГВЭ), который будут сдавать для получения аттестата выпускники 11 классов, не планирующие поступление в вузы. С ними можно ознакомиться в разделе «ГВЭ»: https://fipi.ru/gve/gve-11

Экзаменационные модели ГВЭ сформированы на основе уже хорошо известных обучающимся и учителям контрольных измерительных материалов ЕГЭ по русскому языку и базовой математике.

КИМ ГВЭ-аттестат по русскому языку будут содержать 24 задания с кратким ответом базового уровня из КИМ ЕГЭ по русскому языку. В совокупности с традиционной формой итогового сочинения эта модель ГВЭ по русскому языку обеспечит контроль освоения системы русского языка и практической грамотности выпускников средней школы.

КИМ ГВЭ-аттестат по математике будут содержать 14 заданий с кратким ответом из КИМ ЕГЭ по математике базового уровня. Задания будут представлять различные разделы курса математики и позволят оценить освоение необходимых требований к базовому уровню среднего общего образования по математике.

Опубликованные документы будут определять содержание КИМ только для выпускников, выбравших форму ГВЭ, так как они не планируют поступление в вузы. Экзамены по русскому языку и математике для категорий участников, которые традиционно имеют право сдавать ГИА-11 в форме ГВЭ, например, участников с ограниченными возможностями здоровья, будут проводиться по материалам для указанной категории участников экзамена, размещенным на сайте ФИПИ осенью 2020 года.

Федеральный институт педагогических измерений опубликовал проекты документов, регламентирующих структуру и содержание контрольных измерительных материалов Единого государственного экзамена в 2021 году, сообщает Федеральная служба по надзору в сфере образования и науки. 

На сайте представлены материалы по 15 предметам, которые сдаются в форме ЕГЭ.

Данные документы являются основой для составления экзаменационных материалов и ежегодно публикуются для экспертного обсуждения до начала учебного года. Также с их помощью будущие участники ЕГЭ и их преподаватели могут составить представление о том, что их ждет на экзаменах в новом учебном году.

Изменения в КИМ ЕГЭ 2021 года по математике, физике, химии, географии, обществознанию и иностранным языкам отсутствуют. Структура и содержание КИМ по биологии также не изменились, но время выполнения экзаменационной работы увеличено с 210 до 235 минут.

Все основные характеристики экзаменационной работы по русскому языку также сохранены. Изменены формулировка и способ предъявления языкового материала задания 9, а также уточнены формулировка и критерии оценивания задания 27.

В КИМ ЕГЭ по литературе обновлено задание 7 с кратким ответом: в текст с пропуском двух слов требуется вписать два литературоведческих термина или литературных факта.

В КИМ по истории изменена модель задания 25 (историческое сочинение) при сохранении требований, содержащихся в задании, и максимального балла за его выполнение. Если в 2020 году участники ЕГЭ писали сочинению по одному из трех исторических периодов, то в 2021 году историческое сочинение необходимо будет написать по одному из трех предложенных в конкретном варианте КИМ исторических процессов или по деятельности одной из трех исторических личностей.

Наиболее существенные изменения внесены в КИМ ЕГЭ по информатике и ИКТ, что связано с переводом этого экзамена с 2021 года в компьютерную форму. Это позволило включить в КИМ задания на практическое программирование. Таких заданий в работе девять, то есть треть от общего количества.

Остальные 18 заданий сохраняют глубокую преемственность с КИМ ЕГЭ прошлых лет, когда экзамен проводился на бумажных бланках. При этом они адаптированы к новым условиям сдачи экзамена в тех случаях, когда это было необходимо. 

В России ЕГЭ служит одновременно выпускным экзаменом в школе и вступительным экзаменом в вуз. Обязательными для получения аттестата об окончании российской школы являются ЕГЭ по русскому языку и математике. 

Все изменения в ЕГЭ 2021 года

ФИПИ подготовил изменения в ЕГЭ 2021 года. Так происходит каждый год, поэтому пугаться этого факта не стоит. Лучше просто прочитать статью и узнать обо всех нововведениях в ЕГЭ и о том, как получить допуск к экзаменам.

В этой статье:

 

Все изменения в ЕГЭ 2021 года

Каким будет ЕГЭ в 2021 году?

Федеральный институт педагогических измерений (ФИПИ) опубликовал проекты КИМов ЕГЭ 2021 года. Проекты демоверсий, спецификаций, кодификаторов можно найти на сайте ФИПИ в разделе «ЕГЭ»:

После выбора предмета можно скачать главные документы и материалы, пояснение к ним, а также демоверсии, спецификации, кодификаторы прошлых лет (для сравнения)

Важно: проекты находятся на стадии общественно-профессионального обсуждения до 30 сентября 2020 года.

---

Какие ЕГЭ не изменились?

Из всех 15 школьных предметов без изменений в 2021 году остались ЕГЭ по:

• математике, 
• обществознанию, 
• химии, 
• физике, 
• географии, 
• иностранным языкам,
• биологии*.

*Экзамен по биологии не изменился структурно, однако изменилось время его написания — с 210 минут до 235.

---

Какие ЕГЭ изменились?

Остальные экзамены поменялись. По порядку — от меньшего к большему — расскажем, какие изменения произошли в каждом из ЕГЭ.

ЕГЭ по русскому языку:

• Новая формулировка задания 9;
• Уточнение формулировки и критериев оценивания сочинения.

ЕГЭ по литературе:

• Обновление задания 7 с кратким ответом — теперь в текст с пропуском нужно будет вписать два литературоведческих термина или литературных факта.

ЕГЭ по истории:

• Новая модель задания 25 (историческое сочинение) — сочинение нужно будет написать по деятельности одной из трех исторических личностей либо по одному из трех предложенных исторических процессов (а не по историческим периодам).

ЕГЭ по информатике:

• Проведение экзамена в компьютерной форме;
• 9 новых практических заданий по программированию (составление и отлаживание программы, поиск информации, работа с электронными таблицами;
• Адаптация старых заданий к новому компьютерному формату;
• Новые языки программирования (С++, Java, C#, Pascal, Python, Школьный алгоритмический язык).

---

Кстати, всем выпускникам советуем пройти тест и проверить,

знаете ли вы новые правила поступления:

 

 

 

---

 

Допуск к ЕГЭ

Согласно Порядку проведения государственной итоговой аттестации по образовательным программам среднего общего образования, утверждённым приказом Минпросвещения России и Рособрнадзора от 07.11.2018 № 190/1512 к сдаче ЕГЭ допускаются обучающиеся без академических задолженностей и с «зачётом» за итоговое сочинение.

И если со школьными оценками всё всегда одинаково, то темы итогового сочинения меняются ежегодно. Они также публикуются на сайте ФИПИ.

Направления тем итогового сочинения в 2020/2021 учебном году:

1. Забвению не подлежит 
2. Я и другие 
3. Время перемен
4. Разговор с собой 
5. Между прошлым и будущим: портрет моего поколения

 

 

На сайте ФИПИ также есть пояснения ко всем пяти темам

 

Читайте также:

Какие выбрать ЕГЭ для поступления?

 

ЕГЭ — ЧОУ «Гармония»

07.10.20

Актуальные вопросы содержания и основные направления развития контрольных измерительных материалов для государственной итоговой аттестации (вебинары ФГБНУ «ФИПИ»):

История

Литература

Математика

Обществознание

Русский язык

Физика

Химия

Иностранные языки

Информатика и ИКТ

---

29.09.20

В октябре 2020 года будут проведены видеоконсультации, посвящённые изменениям в контрольно-измерительных материалах единого государственного экзамена 2021 года
График видеоконсультаций и ссылки для просмотра

---

27.09.20

На сайте ФИПИ опубликованы проекты документов, определяющих структуру и содержание контрольных измерительных материалов ЕГЭ 2021 года.

---

---

---

04.02.2020

ПИСЬМО РОСОБРНАДЗОРА ОТ 16.12.2019 № 10-1059 О НАПРАВЛЕНИИ МЕТОДИЧЕСКИХ ДОКУМЕНТОВ И МАТЕРИАЛОВ, РЕКОМЕНДУЕМЫХ К ИСПОЛЬЗОВАНИЮ ПРИ ОРГАНИЗАЦИИ И ПРОВЕДЕНИИ ИТОГОВОГО СОБЕСЕДОВАНИЯ ПО РУССКОМУ ЯЗЫКУ, ГИА ПО ОБРАЗОВАТЕЛЬНЫМ ПРОГРАММАМ ОСНОВНОГО ОБЩЕГО И СРЕДНЕГО ОБЩЕГО ОБРАЗОВАНИЯ В 2019/20 УЧЕБНОМ ГОДУМетодические рекомендации (Приложение к Письму РОСОБРНАДЗОРА №10-1059 от 16.12.2019)

 

 

 

---

 

 Открытые направления утверждены Советом по вопросам проведения итогового сочинения в выпускных классах под председательством Натальи Дмитриевны Солженицыной.

1. «Война и мир» – к 150-летию великой книги
2. Надежда и отчаяние
3. Добро и зло
4. Гордость и смирение
5. Он и она

---

12.09.19

На сайте ФИПИ представлены проекты документов, определяющих структуру и содержание контрольных измерительных материалов единого государственного экзамена 2020 года (демоверсии, спецификации, кодификаторы ЕГЭ 2020 г.). 
Также на сайте опубликованы планируемые изменения в КИМ ОГЭ 2020 г. Ссылка на источник

---

---

---

---

---

29.10.18

На сайте ФИПИ опубликованы методические материалы, рекомендуемые к использованию при организации и проведении итогового сочинения (изложения) в 2018-2019 учебном году. Ссылка на источник

---

 

Руководитель Федеральной службы по надзору в сфере образования и науки Сергей Кравцов ответил на вопросы родителей школьников о едином государственном экзамене (ЕГЭ), итоговой аттестации в 9 классах, сочинении, всероссийских проверочных работах и итоговом собеседовании по русскому языку (выступление состоялось 14 сентября 2018 года)

Ссылка на видео

---

На сайте ФИПИ в разделе Итоговое сочинение опубликованы открытые направления тем итогового сочинения 2018/19 учебного года, а также комментарий к ним, подготовленный специалистами ФИПИ.

Министр просвещения РФ О.Ю. Васильева объявила пять направлений тем итогового сочинения на 2018/19 учебный год

• Отцы и дети
• Мечта и реальность
• Месть и великодушие
• Искусство и ремесло
• Доброта и жестокость

Комментарий к тематическим направлениям

 

---

На сайте Федерального института педагогических измерений (ФИПИ)  представлены документы, определяющие структуру и содержание контрольных измерительных материалов (КИМ) ЕГЭ-2019:

Проекты КИМ ЕГЭ 2019 г. (Демоверсии)

---

 

Изменения в КИМ ЕГЭ 2019 г.

---

На сайте ФИПИ опубликованы методические рекомендации для учителей, подготовленные на основе анализа типичных ошибок участников ЕГЭ 2018 года . Ссылка

---

 

 

 

В «Ивановской газете» от 15 мая 2018 года опубликовано интервью со старшим преподавателем кафедры педагогики и психологии Института развития образования Ивановской области Натальи Исаевой. Тема статьи — «ЕГЭ: экзамен на зрелость». Материал представляет интерес для всех, кому предстоит сдавать ЕГЭ, а также для их родителей и педагогов.

Ссылка на статью

---

Психологическая подготовка учащихся к экзаменам

Чем можно пользоваться на ЕГЭ по математике 2018 года

Настоящая Политика конфиденциальности определяет, каким образом Центр подготовки к ЕГЭ и ОГЭ Годограф собирает, использует, хранит и раскрывает информацию, полученную от пользователей на веб-сайте godege.ru («Сайт»). Данная политика конфиденциальности относится и к Сайту, всем поддоменам Сайта и всем продуктам и услугам, предлагаемым Центр подготовки к ЕГЭ и ОГЭ Годограф .

Эта страница содержит сведения о том, какую информацию мы или третьи лица могут получать, когда Вы пользуетесь нашим Сайтом. Мы надеемся, что эти сведения помогут Вам принимать осознанные решения в отношении предоставляемой нам информации о себе.

Настоящая Политика конфиденциальности распространяется непосредственно на этот Сайт и на информацию, получаемую с его помощью. Она не распространяется ни на какие другие сайты и не применима к веб-сайтам третьих лиц, которые могут содержать упоминание о нашем Сайте и с которых могут делаться ссылки на Сайт, а так же ссылки с этого Сайта на другие сайты сети Интернет.

Получаемая информация

Когда Вы посещаете Сайт, мы определяем IP адрес, имя домена с которого Вы к нам пришли (например, «yandex.ru») и страну регистрации данного ip , а так же фиксируем все переходы посетителей с одной страницы Сайта на другую.

Сведения, которые мы получаем на Сайте, могут быть использованы для того, чтобы облегчить пользование Сайтом. Сайт собирает только общую информацию, которую Ваш браузер предоставляет добровольно при посещении Сайта.

Сайт применяет стандартную технологию «cookies» («куки») для настройки стилей отображения Сайта под параметры экрана монитора. «Куки» представляет собой данные с веб-сайта, который сохраняет на жестком диске Вашего же компьютера. В «cookies» содержится информация, которая может быть необходимой для настройки Сайта, — для сохранения Ваших установок вариантов просмотра и сбора статистической информации по Сайту, т.е. какие страницы Вы посетили, что было загружено, имя домена интернет-провайдера и страна посетителя, а также адреса сторонних веб-сайтов, с которых совершен переход на Сайт и далее.

Также данную технологию использует установленные на Сайте счетчики компании Yandex/Rambler/Google и т.п.

Технология «Cookies» не содержит никаких личных сведений относительно Вас. Чтобы просматривать материал без «cookies», Вы можете настроить свой браузер таким образом, чтобы она не принимала «cookies», либо уведомляла Вас об их посылке (настройки браузеров различны, поэтому советуем Вам получить справку в разделе «Помощь» и выяснить как изменить установки браузера по «cookies»).

Кроме того, Сайт использует стандартные возможности (журналы) веб-сервера для подсчета количества посетителей и оценки технических возможностей хост-сервера, рейтинги и счетчики посещаемости от сторонних организаций (yandex.ru, top100.rambler.ru, top.mail.ru и др.). Мы используем эту информацию для того, чтобы определить сколько человек посещает Сайт и расположить страницы наиболее удобным для пользователей способом, обеспечить соответствие Сайта с используемыми Вами браузерам, и сделать содержание Сайта максимально полезным для посетителей. Мы записываем сведения по перемещениям на Сайте, но не об отдельных посетителях Сайта, так что никакая конкретная информация относительно Вас лично не будет сохраняться или использоваться Администрацией Сайта без Вашего согласия.

Также мы можем собирать личную идентификационную информацию от пользователей, когда пользователь посещает наш Сайт, регистрируется на Сайте, оформляет заказ, заполняет формы и в связи с другой активностью на Сайте. Пользователя могут попросить при необходимости указывать имя, электронный адрес, номер телефона, данные кредитной карты. Пользователи могут, однако, посещать наш Сайт анонимно. Мы собираем личную идентификационную информацию пользователей, только если они добровольно предоставляют нам такую информацию. Пользователи всегда могут отказаться в предоставлении личной идентификационной информации, за исключением случаев, когда это может помешать пользоваться отдельными функциями Сайта.

Как мы используем собранную информацию

Центр подготовки к ЕГЭ и ОГЭ Годограф может собирать и использовать личную информацию пользователей для следующих целей:
— Для улучшения обслуживания клиентов. Предоставляемая вами информация помогает нам реагировать на запросы клиентов более эффективно;
— Чтобы персонализировать пользовательский опыт. Мы можем использовать информацию для определения кто из посетителей Сайта наиболее заинтересован в услугах и ресурсах предоставляемых на нашем Сайте;
— Для улучшения нашего Сайта. Мы можем использовать обратную связь, которую Вы предоставляете, чтобы улучшить наши продукты и услуги;
— Для обработки платежей. Мы можем использовать информацию о пользователях при оформлении заказа для оформления платежей и только для этого. Мы не делимся этой информацией с третьими лицами, за исключением тех случаев, когда необходимо для предоставления услуг;
— Чтобы отправлять пользователям информацию, которую они согласились получать на темы, которые, как мы думаем, будут представлять для них интерес;
— Чтобы отправить периодические сообщения электронной почты, которые могут включать новости компании, обновления, информацию о продуктах и услугах и т.д. Если пользователь хотел бы отказаться от получения последующих писем, мы включаем подробное описание инструкции по тому, как отписаться в нижней части каждой электронной почты или пользователь может связаться с нами через наш Сайт.

Как мы защищаем вашу информацию

Мы принимаем соответствующие меры безопасности по сбору, хранению и обработке собранных данных для защиты их от несанкционированного доступа, изменения, раскрытия или уничтожения Вашей личной информации (имя пользователя, пароль, информация транзакции и данные, хранящиеся на нашем Сайте).

Общий доступ к личной информации

Мы не продаем, не обмениваем или не даем в аренду личную информацию пользователей. Мы можем предоставлять общие агрегированные демографические данные, не связанные с личной информацией, нашими партнерами и рекламодателями для целей, описанных выше. Мы можем использовать сторонних поставщиков услуг, чтобы помочь нам управлять нашим бизнесом и Сайтом или управлять деятельностью от нашего имени, например, проведение рассылки или статистические и иные исследования. Мы можем делиться этой информацией с этими третьими лицами для ограниченных целей при условии, что Вы дали нам соответствующие разрешения.

Изменения в политике конфиденциальности

Центр подготовки к ЕГЭ и ОГЭ Годограф имеет право по своему усмотрению обновлять данную политику конфиденциальности в любое время. В этом случае мы опубликуем уведомление на главной странице нашего Сайта и сообщим Вам об этом по электронной почте. Мы рекомендуем пользователям регулярно проверять эту страницу для того, чтобы быть в курсе любых изменений о том, как мы защищаем личную информацию, которую мы собираем. Используя Сайт, Вы соглашаетесь с принятием на себя ответственности за периодическое ознакомление с Политикой конфиденциальности и изменениями в ней.

Ваше согласие с этими условиями

Используя этот Сайт, Вы выражаете свое согласие с этой политикой. Если Вы не согласны с этой политикой, пожалуйста, не используйте наш Сайт. Ваше дальнейшее использование Сайта после внесения изменений в настоящую политику будет рассматриваться как Ваше согласие с этими изменениями.

Отказ от ответственности

Помните, политика конфиденциальности при посещении сторонних Сайтов третьих лиц, не подпадает под действия данного документа. Администрация Сайта не несет ответственности за действия других веб-сайтов.

Как с нами связаться

Если у Вас есть какие-либо вопросы по политике конфиденциальности, использованию Сайта, или иным вопросам, связанным с Сайтом, пожалуйста, свяжитесь с нами по адресу: Центр подготовки к ЕГЭ и ОГЭ Годограф

godege.ru переулок Васнецова 9 строение 2, 5 этаж г. Москва
+7 (495) 970-99-66
[email protected]

Школа №78 г.Владивосток. Экзамен ГИА-9

Постановление Правительства РФ от 26 февраля 2021 г. N 256 “Об особенностях проведения государственной итоговой аттестации по образовательным программам основного общего и среднего общего образования в 2021 году”

Письмо Федеральной службы по надзору в сфере образования и науки от 25 марта 2021 г. N 04-17 Об особенностях проведения экзаменационной кампании 2021 г.

Приказ Минпросвещения России и Рособрнадзора от 05.03.2021 № 88/245 (зарегистрирован 29 марта 2021 № 62899) «О внесении изменений в пункт 1 приказа Министерства просвещения Российской Федерации и Федеральной службы по надзору в сфере образования и науки от 24 ноября 2020 г. № 665/1156 «Об особенностях проведения ГИА по образовательным программам среднего общего образования в 2020-2021 учебном году в части проведения итогового сочинения (изложения)»;

Письмо Рособрнадзора от 11.04.2016 № 02-146 «О количестве сдаваемых предметов в IX классе» — СКАЧАТЬ     

---

Утверждены особенности проведения ГИА-9 и ГИА-11 в 2021 году

Информация
о сроках и местах подачи заявлений на участие в итоговом устном собеседовании и на прохождение государственной итоговой аттестации  по образовательным программам основного общего образования

В соответствии с Порядком проведения государственной итоговой аттестации по образовательным программам основного общего образования, утвержденным приказом Министерства образования и науки Российской Феде-рации от 07 ноября 2018 г. № 189/1513, итоговое собеседование по русскому языку проводится для обучающихся 9-х классов во вторую среду февраля.
Для прохождения итогового собеседования по русскому языку обучающимся необходимо подать заявления в свою образовательную организацию не позднее чем за две недели до начала проведения итогового собеседования по русскому языку.
Для прохождения государственной итоговой аттестации по образовательным программам основного общего образования (далее – ГИА-9)  обучающимся необходимо подать заявления с указанием перечня сдаваемых учебных предметов, формы прохождения ГИА-9 (далее – заявление).
Обращаем внимание, что ГИА-9 включает в себя обязательные экзамены по русскому языку и математике, а также экзамены по выбору обучающегося по двум учебным предметам из числа учебных предметов: физика, химия, биология, литература, география, история, обществознание, иностранные языки (английский, французский, немецкий и испанский языки), информатика и информационно-коммуникационные технологии (ИКТ). Общее количество экзаменов в IX классах не должно превышать четырех экзаменов.
Заявление на участие в экзамене подается обучающимися лично на основании документа, удостоверяющего их личность, или их родителями (законными представителями) на основании документа, удостоверяющего их личность, или уполномоченными лицами на основании документа, удостоверяющего их личность, и оформленной в установленном порядке доверенности.
Для обучающихся с ограниченными возможностями здоровья, обучающихся детей-инвалидов и инвалидов, освоивших образовательные программы основного общего образования, количество сдаваемых экзаменов по их желанию сокращается до двух обязательных экзаменов по русскому языку и математике.
Обучающиеся с ограниченными возможностями здоровья при подаче за-явления представляют копию рекомендаций психолого-медико-педагогической комиссии, а обучающиеся дети-инвалиды и инвалиды – оригинал или заверенную в установленном порядке копию справки, подтверждающей факт установления инвалидности, выданной федеральным государственным учреждением медико-социальной экспертизы.
Срок подачи заявления – до 01 марта текущего года (включительно).
Место подачи заявления – образовательная организация обучающегося.

---

Приказ Минпросвещения России № 189/1513 от 07.11.2018 «Об утверждении Порядка проведения государственной итоговой аттестации по образовательным программам основного общего образования» — Открыть

Письмо Рособрнадзора от 11.04.2016 № 02-146 «О количестве сдаваемых предметов в IX классе» — Открыть    

    Рособрнадзор подготовил проект расписания основного государственного экзамена и государственного выпускного экзамена  в 2021 году. 

Общие сведения о ГИА-9

Освоение образовательных программ основного общего образования завершается обязательной государственной итоговой аттестацией (ГИА).

К ГИА-9 допускаются обучающиеся, не имеющие академической задолженности, в полном объеме выполнившие учебный план или индивидуальный план (имеющие годовые отметки по всем учебным предметам не ниже удовлетворительных), а также имеющие результат «зачет» за итоговое собеседование по русскому языку.

Формы проведения ГИА 9 – основной государственный экзамен (ОГЭ) и государственный выпускной экзамен (ГВЭ).

ОГЭ – это форма государственной итоговой аттестации по образовательным программам основного общего образования. При проведении ОГЭ используются контрольные измерительные материалы (КИМ) стандартизированной формы.

ГВЭ – форма ГИА в виде письменных и устных экзаменов с использованием текстов, тем, заданий, билетов. 

Государственная итоговая аттестация по образовательным программам основного общего образования включает в себя:

Обязательные экзамены: по русскому языку и математике,

а также экзамены по выбору обучающегося по двум учебным предметам из числа учебных предметов:  

• Литература
• Физика
• Химия
• Биология
• География
• История
• Обществознание
• Информатика и информационно-коммуникационным технологиям (ИКТ)
• Иностранные языки (английский, немецкий, французский и испанский языки)

 

Экзамены по всем учебным предметам, за исключением иностранных языков, а также родного языка и родной литературы, проводится на русском языке. 

Выбранные обучающимся учебные предметы указываются в заявлении, которое он подает в образовательную организацию до 1 марта текущего года.

Обучающиеся вправе изменить (дополнить) перечень указанных в заявлении экзаменов только при наличии у них уважительных причин (болезни или иных обстоятельств, подтвержденных документально). 

В этом случае обучающийся подает заявление в государственную экзаменационную комиссию (ГЭК) с указанием измененного перечня учебных предметов, по которым он планирует пройти ГИА, и причины изменения заявленного ранее перечня. Указанное заявление подается не позднее чем за две недели до начала соответствующих экзаменов. 

Результаты, полученные на ГИА-9 по двум учебным предметам по выбору, будут влиять на итоговую отметку, выставляемую в аттестат об основном общем образовании (аттестат), а также на получение аттестата.

Повторно к сдаче ГИА-9 по соответствующим учебным предметам в текущем году по решению ГЭК допускаются обучающиеся, получившие на ГИА-9 неудовлетворительные результаты не более чем по двум учебным предметам (кроме участников ГИА, проходящих ГИА только по обязательным учебным предметам).

При прохождении ГИА-9 наличие неудовлетворительного результата более чем по двум учебным предметам не позволяет выпускнику повторно участвовать в экзаменах по данным учебным предметам в дополнительные сроки. Участие в ГИА возможно не ранее 1 сентября. 

---

С демо-версией КИМ можно ознакомиться на сайте «Федеральный институт педагогических измерений»: http://fipi.ru.  

Демоверсии ОГЭ дают возможность любому участнику ГИА-9 составить представление о структуре будущих КИМ, количестве заданий, их форме и уровне сложности. Задания, включаемые в демоверсии, не используются на экзаменах, но они аналогичны реальным.

---

 

---

Об организации и проведении ГИА-9 в 2021 году Открыть Размер:  2801.53 КБ

О подготовке к ОГЭ по русскому языку (Дегтярева А.О., учитель МАОУ Лицей «Технический») Открыть Размер:  6486.36 КБ

О подготовке к ОГЭ по математике (Найдышева Е.В., учитель МБОУ СОШ № 74) Открыть Размер: 1901.08 КБ

---

---

---

МЦКО

Министерство образования и науки РФ опубликовало проект расписания Единых государственных экзаменов на 2018 год. Корреспондент «ВМ» выяснила, что изменится в правилах их сдачи и какие изменения ожидают московских выпускников.

По данным столичного Департамента образования, все пункты проведения выпускных экзаменов в Москве в этом году перейдут на технологию печати контрольных измерительных материалов и бланков непосредственно в аудиториях.

До выпускных экзаменов в школах осталось чуть больше полугода. Основной период итоговой аттестации по всей стране планируется провести с 28 мая по 20 июня.

Первыми экзаменами станут: география, информатика и информационные компьютерные технологии. Потом выпускники будут сдавать базовую и профильную математику, химию, историю, русский язык, иностранные языки, обществознание, биологию, литературу и физику.

Досрочный период ЕГЭ-2018 для выпускников прошлых лет и выпускников текущего года, имеющих уважительную причину, пройдет с 21 марта по 4 апреля.

Что касается экзаменов по математике, истории, биологии, географии и иностранных языков, то никаких изменений в содержании контрольных измерительных материалов нет. А по русскому языку выпускникам придется выполнить не 25, а 26 заданий, новое из которых – на знание лексических норм: нужно найти в предложении речевую ошибку и исправить ее. В литературе изменились максимальные баллы в некоторых заданиях, например за задания № 8 и № 15 теперь можно получить по пять баллов, за № 9 и № 16 – десять (раньше за них получали по четыре балла). Введена четвертая тема (о новейшей литературе) в задании № 17, сочинении.

По физике добавлено задание базового уровня сложности по астрофизике, а также задачи на производительность увлажнения, основы СТО, закон сохранения электрического заряда, конденсатор. В пособиях по подготовке к экзамену прошлого года этих тем нет, так что надо будет готовиться отдельно. В обществознании в критериях оценки появился «критерий корректности формулировок», то есть школьники должны показать понимание причинно-следственных связей в событиях.

В экзаменационных материалах по химии изменены задания № 30 и № 31. В них предложен единый контекст, включающий перечень веществ. В задании № 30 из них надо составить окислительновосстановительное уравнение и электронный баланс.

В задании № 31 перечня веществ надо составить реакцию молекулярного обмена.

Как и прежде, в этом году допуском к итоговым экзаменам для 11-классников станет сочинение. Ребята напишут его 6 декабря. Резервные дни – 7 февраля и 16 мая. Уже объявлены темы итогового сочинения: «верность и измена», «равнодушие и отзывчивость», «цели и средства», «смелость и трусость», «человек и общество».

А с 2022 года к двум обязательным экзаменам в одиннадцатых классах добавят третий – иностранный язык.

Сейчас разработана дорожная карта мероприятий, которые будут предшествовать нововведению. Что касается экзамена по истории, то вопрос о ее включении в число обязательных предметов пока только обсуждается.

ПРЯМЫЕ РЕЧИ

Павел Кузьмин, директор московского центра качества образования:

– Ранее технология печати контрольных измерительных материалов непосредственно в аудиториях применялась только в 25 пунктах проведения экзаменов в городе Москве, в 2018 году при проведении государственной итоговой аттестации технология печати полного комплекта будет использована во всех пунктах проведения экзаменов. Кроме того, для проведения экзамена в установленном порядке требуется не только техническое оснащение, но и соответствующая подготовка работников пунктов проведения экзаменов. Для подготовки наблюдателей используется система практико-ориентированного обучения. Учебный комплекс включает учебнометодические и интерактивные материалы, в том числе наглядное учебное пособие «Подготовка и проведение Единого государственного экзамена в пунктах проведения экзамена», выпущенное Московским центром качества образования для лиц, проходящих обучение в качестве работников, привлекаемых к проведению госэкзамена в столице.

Марина Лащенова, учитель русского языка школы № 179:

– Изменения в ЕГЭ по русскому языку пойдут на пользу школьникам: раньше ребята не видели свои лексические ошибки, что негативно отражалось и на написании итогового сочинения. Теперь письменные работы детей станут более грамотными и выверенными.

КСТАТИ

В Московском центре качества образования ребята могут пройти независимую диагностику по любому предмету школьной программы и проверить уровень своей готовности к Единому государственному экзамену.

Источник: Вечерняя Москва

новые правила и расписание ЕГЭ-2018 / Новости общества Красноярска и Красноярского края / Newslab.Ru

До ЕГЭ-2018 в Красноярске остается меньше недели: уже 28 мая школьники ринутся сдавать информатику и географию, потому паника нарастает, коленки дрожат, ладошки потеют. Newslab.ru выяснил, как и когда одиннадцатиклассники будут сдавать ЕГЭ в этом году, что они и репетиторы думают о главном экзамене года, а также узнал пару полезных советов.

Р

асписание экзаменов

Начнем с главного — с расписания ЕГЭ-2018. Даты объявляют задолго до самих экзаменов, поэтому известно, что сдавать экзамены школьники будут почти месяц — с 28 мая по 20 июня.

• 28 мая (понедельник) — география и информатика
• 30 мая (среда) — ЕГЭ по математике базового уровня
• 1 июня (пятница) — ЕГЭ по математике профильного уровня
• 4 июня (понедельник) — химия, история
• 6 июня (среда) — русский язык
• 9 июня (суббота) — устная часть экзамена по иностранным языкам
• 13 июня (среда) — устная часть экзамена по иностранным языкам
• 14 июня (четверг) — обществознание
• 18 июня (понедельник) — биология и письменная часть экзамена по иностранным языкам
• 20 июня (среда) — литература, физика.

Резерв

Кроме того, для сдачи главных выпускных испытаний школьников есть резервные дни:

• 22 июня (пятница) — география и информатика
• 25 июня (понедельник) — математика базового и профильного уровней
• 26 июня (вторник) — русский язык
• 27 июня (среда) — химия, история, биология, иностранные языки
• 28 июня (четверг) — литература, физика, обществознание
• 29 июня (пятница) — иностранные языки (устная часть)
• 2 июля (понедельник) — по всем учебным предметам

Признание выпускницы

— С одной стороны, это объективная проверка знаний, так как в КИМ (контрольные измерительные материалы, тесты) собраны все темы за курс старшей и средней школы, но, с другой стороны, выпускников «вгоняют» в рамки системы экзамена, — поделилась с нами одиннадцатиклассница Юлия. — Порой я просто сижу и нарешиваю задания, совершенно не понимая текст, смотрю ответы на ЕГЭ. Готовиться не сложно, наоборот — появляется стимул решать самые трудные задания. Я хожу на дополнительные занятия в учебный центр, занимаюсь онлайн, также в школе на уроках мы решаем «пробники».

По ее мнению, большое влияние на результат ЕГЭ имеет и формат самого экзамена:

— Конечно, я очень переживаю из-за предстоящих экзаменов, думаю, причиной стресса является неуверенность в своих знаниях, также учителя сильно нагнетают в школе, да и в общем это ответственный шаг, от которого зависит дальнейшая жизнь. Думаю, было бы лучше, если ученикам дали возможность самим размышлять, а не просто ставить цифры с ответами в варианты ЕГЭ, то есть некоторые задания первой части я бы заменила на задания открытого типа«, — уверена Юлия.

Что новенького?

Два обязательных экзамена (математика, русский язык) и одно испытание на выбор — таков минимальный список испытаний в копилке каждого школьника. Впрочем, окончательный список зависит от вуза и факультета, куда хочет поступать одиннадцатиклассник.

Что касается изменений, то они, безусловно, есть, где-то — серьезные, где-то — пустяковые. Например, максимальный первичный балл в экзамене по русскому языку увеличился до 58 (с 57), а среди вопросов появились отрывки стихотворного текста. А вот в математике или, например, истории совсем нет изменений.

Очень много изменений в не самом популярном экзамене — литературе. Максимальный первичный балл подрос на целых 15 баллов (до 57 баллов). Главное новшество — введение четвёртой темы сочинения, которая проверяет знания по новейшей отечественной литературе.

Вырос максимальный первичный балл и в популярном среди выпускников экзамене по обществознанию, многие задания которого теперь оценивают иначе. Максимальный первичный балл вырос с 62 до 64 баллов.

В ЕГЭ по химии и физике добавили новые задания. Так, в тестовой части КИМов по физике задание под номером 24 проверяет знания по астрофизике, а в ЕГЭ по химии появилось новое задание повышенной сложности.

Зато сдающие биологию и географию могут расслабиться — никаких изменений по этим предметам нет (оба экзамена сильно менялись в предыдущие годы и теперь, кажется, их оставили в покое).

Без внимания не осталась информатика. В ЕГЭ-2018 задачки на понимание основ языка программирования Си заменили на более современный популярный язык С++.

Языки ЕГЭ

Что касается иностранных языков, то экзамен можно сдавать по английскому, немецкому, французскому и испанскому. С 2022 года ЕГЭ по иностранным языкам станет обязательным экзаменом, и в этом году задания не меняли.

«Если сравнивать экзамен по английскому языку с самым началом его появления, то, конечно, сдавать стало сложнее. Например, не было устной части, а тексты были проще. Экзамен сегодня сдают на трех уровнях сложности — базовом, повышенном и высоком. Начинать готовиться нужно как можно раньше. Если английский в школе начинается со второго класса, таким детям легче, если позже — гораздо сложнее. Итоговый результат по ЕГЭ зависит только от того, учил ли школьник язык на протяжении всего курса обучения», — рассказывает репетитор Ольга.

Напутствие для храбрых и не очень

Сейчас начинать готовиться к ЕГЭ уже поздно, поэтому если школьник весь год (и последние 11 лет) пинал балду, удача ему вряд ли улыбнется. Лучший выход — расслабиться и без лишних нервов дождаться даты экзаменов.

Материалы по теме

Впрочем, повторить кое-что будет не лишним. Проверить знания можно с помощью демоверсий экзаменов на сайте Федерального института педагогических измерений. В ожидании результатов можно еще раз свериться с проходным баллом вуза, куда мечтает поступить выпускник, и выбрать несколько альтернатив.

«ЕГЭ — точно не объективная оценка знаний выпускников, ведь форма сдачи экзамена рассчитана на строгие клише и тесты. Можно знать хорошо предмет , но завалить ЕГЭ. Мы привыкаем к типовым заданиям, а это приводит к тому, что мы не можем мыслить шире . Каждый год что-то меняют, и выпускникам от этого легче не становится. Стресс, конечно, присутствует, так как сама обстановка с камерами, металлоискателями и строгими наблюдателями не может не волновать учеников. Я уверена, посади на наше место взрослых людей, им будет не по себе от такого тотального контроля», — делится мнением выпускница Яна.

ЕГЭ — один из первых серьезных экзаменов в жизни красноярского выпускника. Сдать его — большой подвиг! Многие думают: «Я решу ЕГЭ без проблем, ведь я отличник!», но уверяем вас — всё не так просто. Позаботьтесь о том, чтобы остаток каникул и период поступления прошел для ребенка максимально безболезненно. Это ведь в ваших силах?

Маша Русскова специально для интернет-газеты Newslab.ru

Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.

---

Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

• В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки вашего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
• Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, используйте кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
• Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
• Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
• Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

---

Почему этому сайту требуются файлы cookie?

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.

---

Что сохраняется в файле cookie?

Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

Как правило, в cookie-файлах может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

границ | Первые принципы проектирования гетероструктур оксида рутила для реакций выделения кислорода

Введение

Производство зеленого водорода остается проблемой, которую необходимо преодолеть для достижения водородной экономики (Turner, 2004). Электролиз воды — один из подходов к экологичности водорода. Он основан на реакции выделения водорода (HER) и реакции выделения кислорода (OER) как катодной и анодной реакциях соответственно. Однако медленная кинетика ООР ограничивает коммерциализацию этого подхода.Оксидные системы на основе Ir или Ru (например, IrO _x или RuO _x ), как известно, обладают лучшими характеристиками OER (Lee et al., 2012; Frydendal et al., 2014; Suen et al. ., 2017). Однако эти материалы дорогие. Поэтому было проведено множество исследований для определения экономичного альтернативного оксидного материала с высокой активностью. Например, замещение переходных металлов (García-Mota et al., 2011) и введение кислородных вакансий (Xiao et al., 2020) изучались как средства контроля состава дорогостоящих материалов.Однако замещение переходных металлов и кислородные вакансии только локально влияют на активные центры.

Чтобы активировать оксид металла, материалы носителя смешивают с оксидом для повышения электропроводности и активности электрокаталитической реакции (Kumar et al., 2016; Qingxiang et al., 2018; Bu et al., 2019; Lu et al., др., 2019). Кроме того, проводятся исследования гетероструктур с целью активации материала на подложке. Модификации в основном основаны на эффекте деформации и переносе заряда из-за образования границы раздела между материалом носителя и катализатором.Например, гетероструктура La _0,5 Sr _0,5 CoO _3-δ и MoSe ₂ индуцирует фазовый переход MoSe ₂ из фазы 2H в фазу 1T (Oh et al., 2019). Кроме того, перенос заряда от иона Co к иону Mo улучшает электрохимическую активность. Результаты другого исследования показали, что гетероструктура IrO _x и SrIrO ₃ превосходит системы оксидов иридия или рутения (Seitz et al., 2016). Основываясь на расчетах теории функционала плотности (DFT), мотивы IrO ₃ или анатаза IrO ₂ образуются во время выщелачивания стронция во внешних поверхностных слоях SrIrO ₃ и способствуют высокой активности.Еще одна сильная сторона гетероструктуры заключается в том, что она может способствовать сокращению использования драгоценных металлов путем замены их на более дешевые металлы при сохранении аналогичной внутренней активности каждого активного центра (Esposito et al., 2010; Zhou et al., 2014; Wang et al., 2015; Jin et al., 2016). Рутил (TiO ₂ ) является хорошо известным материалом подложки для металлооксидных систем из-за его высокой структурной стабильности и простой структуры (Hanaor et al., 2012). Он подходит для выращивания оксидных пленок, облегчая создание гетероструктур с различными оксидами металлов.Кроме того, рутил влияет на каталитическую активность оксидов металлов и имеет высокую экономическую эффективность (Seitsonen, Over, 2010; Stacchiola et al., 2013; Wei et al., 2015; Sun et al., 2016; Li et al., 2017). Однако влияние рутилового носителя на активность остается неясным из-за трудностей, связанных с характеристиками гетероструктуры во время экспериментов (Stacchiola et al., 2013).

В данном исследовании мы выполнили расчеты методом DFT, чтобы теоретически исследовать влияние подложки TiO ₂ на гетероструктуру и, следовательно, на OER.Мы провели скрининг ООР гетероструктур, состоящих из различных оксидов металлов рутилового типа (например, VO ₂ , CrO ₂ , MnO ₂ , NbO ₂ , RuO ₂ , RhO ₂ , SnO ₂ , TaO ₂ , OsO ₂ , IrO ₂ и PtO ₂ ) и подложку TiO ₂ . Результаты показывают, что эти рутиловые гетероструктуры следуют универсальным масштабным соотношениям металлов и оксидов; однако сила связывания промежуточных продуктов O ^* увеличивается из-за субстрата TiO ₂ .График вулкана и индекс симметрии электрохимической ступени (ESSI) показывают, что RuO ₂ и IrO ₂ являются наиболее близкими к идеальному катализатору. Результаты нашего компьютерного скрининга дают представление о влиянии материалов носителя на электрокаталитические реакции.

Методы

Спин-поляризованные DFT-расчеты были выполнены с использованием метода проекторно-усиленной волны (PAW) (Blochl, 1994) и Венского пакета моделирования Ab initio (VASP) (Kresse and Furthmiiller, 1996).Электронно-обменно-корреляционная энергия обрабатывалась в рамках приближения обобщенного градиента (GGA) и функционала Пердью – Берка – Эрнцерхофа (Perdew et al., 1997). Чтобы определить тенденцию активности ООР, был использован метод DFT + U в рамках подхода Лихтенштейна (Anisimovdag et al., 1997) со следующими параметрами поправки: U = 4,95 эВ для Ti, 2 эВ для V, 7,15 эВ для Cr, 6,63 эВ для Mn, 3,32 эВ для Nb, 6,73 эВ для Ru, 5,97 эВ для Rh, 5,91 эВ для Ir и 6,25 эВ для Pt (Xu et al., 2015). Энергетическая граница для базиса плоских волн была установлена ​​на уровне 520 эВ. Геометрия была оптимизирована с использованием метода минимизации невязки и прямого обращения в алгоритме итеративного метода подпространств (RMM – DIIS) до тех пор, пока результирующая сила на каждый атом не стала ниже 0,02 эВ · Å ⁻¹ , а полная энергия — 10 ^{— 6} эВ на атом. Корректировки дипольной плиты также были применены ко всем расчетам модели плиты. Выборка k точек зоны Бриллюэна была сделана с 4 × 4 × 1 для объемных расчетов и 6 × 6 × 8 для расчетов плиты.

Результаты и обсуждение

Для теоретического исследования активности ОЭР гетероструктур рутильного типа мы рассмотрели гетероструктуры из 11 оксидов рутильного типа (т.е. MO ₂ , где M = V, Cr, Mn, Nb, Ru, Rh, Sn, Ta, Os, Ir и Pt) с подложкой TiO ₂ . Чтобы точно проиллюстрировать активность OER, следующие магнитные структуры использовались для всех расчетов в соответствии с работой Xu et al.: Немагнитные (NM) для TiO ₂ , NbO ₂ , RuO ₂ , RhO ₂ , IrO ₂ и PtO ₂ и ферромагнитный (FM) для CrO ₂ и MnO ₂ (Xu et al., 2015). Кроме того, магнитные конфигурации в основном состоянии других моделей-кандидатов были идентифицированы как FM для VO ₂ и NM для SnO ₂ , TaO ₂ и OsO ₂ соответственно (дополнительный рисунок S1). Поверхностные модели, то есть шестислойные стехиометрические пластины, были построены с использованием суперячейки 2 × 1 оптимизированной элементарной ячейки. Вакуум ∼15 Å был приложен в направлении (110), которое является наиболее стабильной гранью оксидов рутилового типа (рис. 1A; Kung, 1989).Отметим, что трехслойный слой, состоящий из атомных слоев кислород – металл – кислород (O – M – O), считался одним слоем в наших моделях пластин. Верхним четырем слоям моделей плит позволили полностью расслабиться. Два слоя внизу были закреплены для представления объемного состояния. Для гетероструктур три верхних слоя модели пластины TiO ₂ были заменены слоями MO ₂ при сохранении размеров ячеек подложки TiO ₂ . Координационно-ненасыщенные центры (CUS) атомов металла на верхней поверхности считались центрами адсорбции для каждого промежуточного соединения (т.е.е., OH ^* , O ^* и OOH ^* ) для OER. Чтобы изучить влияние кислородного покрытия на активность OER, чистые и полностью покрытые O ^* поверхности были репрезентативно сравнены (т. Е. Обозначены как 2O _b и 2O _b 2O _c , где индексы «b» и «C» обозначают мосты и CUS соответственно).

РИСУНОК 1 . (A) Шестислойная (110) поверхность рутилового типа MO ₂ (слева) и MO ₂ / TiO ₂ гетероструктура (справа) . (B) Схема OER четырех элементарных стадий реакции на поверхности типа рутила (110) с 2O _b и 2O _b 2O _c .

Общий процесс OER состоит из четырех элементарных шагов, включающих перенос электронов, связанных с протонами (PCET; рис. 1B) (Hammes-Schiffer, 2015; Costentin and Savéant, 2017). В данной работе мы проследили стандартные четырехэлектронные пути по отношению к ОЭВ рутиловых гетероструктур, которые можно описать следующим образом:

h3O (l) + M → MOH * + (H ++ e -) (1) MO * + h3O (l) → MOOH * + (H ++ e -) (3) MOOH * → M + O2 (g) + (H ++ e−).(4)

Свободную энергию адсорбции рассчитывали с использованием следующего уравнения:

ΔG = ΔE + ΔZPE-TΔS-eU + kBT⁡ln⁡aH +, (5)

, где ΔE — энергия связи каждого промежуточного продукта реакции; ΔZPE — нулевая колебательная энтальпия; −TΔS — энтропийная поправка при комнатной температуре, −eU — сдвиг энергии на потенциал электрода, где U — приложенный потенциал электрода относительно стандартного водородного электрода (SHE), а e — переносимый элементарный заряд; kBT⁡ln⁡aH + используется как поправка на свободную энергию ионов H ⁺ , где aH + — активность протона.В этом исследовании мы рассмотрели стандартные условия для расчета свободной энергии Гиббса (т.е. T = 298 K и pH = 0). Значения поправки на свободную энергию были взяты из работы Valdes et al. (Valdes et al., 2008). Энергия связи для каждого промежуточного продукта реакции (т.е. ΔEOH *, ΔEO * и ΔEOOH *) рассчитывалась следующим образом:

ΔEOH * = E (OH *) — E (∗) — [E (h3O) -0,5E (h3 )] (6) ΔEO * = E (O *) — E (∗) — [E (h3O) −E (h3)] (7) ΔEOOH * = E (OOH *) — E (∗) — [2E ( h3O) −1,5E (h3)], (8)

где E (OH *), E (O *) и E (OOH *) представляют собой полные энергии моделей пластин для каждого адсорбата, E (∗) — полная энергия пустой плиты, а E (h3O) и E (h3) представляют собой полные энергии изолированной молекулы воды и газообразного водорода, соответственно.Различия в свободной энергии Гиббса (Δ G ) каждой ступени были рассчитаны следующим образом:

Наконец, теоретическое перенапряжение OER (ηOER) можно рассчитать следующим образом:

ηOER = max ([ΔG1, ΔG2, ΔG3, ΔG4] / e) -Ueq, (13)

где Ueq указывает равновесный потенциал OER (т.е. 1,23 В относительно обратимого водородного электрода). Уравнения 1–13 предполагают, что термодинамика стадий реакции является допустимым дескриптором кинетики реакции, основанной на соотношениях Бренстеда – Эванса – Поланьи (BEP) (Vojvodic et al., 2011), которые относятся к тому, что изменение свободной энергии в переходных состояниях (кинетика) следует за изменением теплоты реакции (термодинамика). Обратите внимание, что связь между термодинамикой и кинетикой не всегда устанавливается (Kuo et al., 2017; Kuo et al., 2018), что требует дальнейших кинетических экспериментов или микрокинетического моделирования на основе расчетов активационного барьера для всех возможных переходных состояний.

Мы исследовали масштабные соотношения между свободными энергиями адсорбции промежуточных продуктов реакции (т.е.е., OH ^* , O ^* и OOH ^* ; Дополнительная таблица S2) для всех интересующих катализаторов рутилового типа (рис. 2A). Энергии связи OOH ^* и OH ^* линейно коррелированы со смещением 3,20 эВ. Обратите внимание, что наша тенденция масштабирования аналогична «универсальному» соотношению масштабирования, описанному Man et al. [т.е. Δ E _{OOH *} = Δ E _{OH *} + 3,20 (± 0,20 эВ)] (Man et al., 2011), подразумевая, что все системы типа рутила, включая гетероструктуры, следуют обычные масштабные соотношения для металлов и оксидных поверхностей.На основании наилучшего соответствия 68% точек находятся в пределах ± 0,35 эВ (1σ), а 95% — в пределах ± 0,70 эВ (2σ). Соотношение масштабирования между Δ E _{O *} и Δ E _{OH *} имеет наклон 1,39 (синяя сплошная линия), то есть он намного менее крутой, чем наклон двух (синяя пунктирная линия). , которая является индикаторной линией природы двойной связи O ^* (Rossmeisl et al., 2007).

РИСУНОК 2 . Масштабные соотношения энергий связи промежуточных продуктов OER (т.е.е., OH ^* , O ^* и OOH ^* ) с энергией связи OH ^* , которая является первым промежуточным продуктом для OER. Диаграммы содержат энергии связи на поверхности (110) (A) всех оксидов рутилового типа в данном исследовании, (B) MO ₂ и (C) MO ₂ / TiO ₂ гетероструктур соответственно. Сплошные линии представляют собой линейные тренды энергий связи OOH ^* (красный) и O ^* (синий) относительно энергии связи OH ^* .Синяя пунктирная линия на всех диаграммах — это ориентир промежуточного звена O ^* , который указывает на природу двойной связи на поверхности, с наклоном 2

. Для анализа влияния подложки TiO ₂ на гетероструктуры, Мы разделили соотношения масштабирования на две группы, то есть поверхности (110) гетероструктур MO ₂ и MO ₂ / TiO ₂ (рис. 2B, C). Примечательно, что энергии связи OOH ^* и O ^* на поверхности MO ₂ / TiO ₂ (110) более концентрированы, чем у MO ₂ .Масштабное соотношение между OOH ^* и OH ^* для MO ₂ / TiO ₂ (красная сплошная линия) показывает увеличенное пересечение на 0,18 по сравнению с соответствующим масштабным соотношением для MO ₂ , что подразумевает слегка ослабленные взаимодействия. между OOH ^* и поверхностью. Обратите внимание, что масштабные соотношения между силой связывания частиц O ^* и OH ^* на MO ₂ и MO ₂ / TiO ₂ (синие сплошные линии) явно различаются.Наклоны гетероструктур MO ₂ / TiO ₂ (110) ближе к 2 (т.е. природа двойной связи O ^* ), чем наклоны поверхностей MO ₂ (110) (Rossmeisl et al., 2007 ). Это связано с повышенной прочностью связывания промежуточных продуктов O ^* в гетероструктурах по сравнению с поверхностями MO ₂ (Divanis et al., 2020). Это указывает на то, что субстрат TiO ₂ обычно стабилизирует промежуточные соединения O ^* , что может приводить к снижению ηOER оксидов рутила с участием слабосвязанных промежуточных продуктов O ^* .

На основе масштабных соотношений между энергиями связи промежуточных продуктов реакции был построен график вулкана, как показано на рисунке 3A. Мы выбрали ΔGO * — ΔGOH * (обозначается как ΔG2) в качестве дескриптора, который обычно используется для прогнозирования активности OER реакции 4 e ^— (Man et al., 2011; Krishnamurthy et al., 2018). График показывает, что связи O ^* PtO ₂ , OsO ₂ , TaO ₂ и RhO ₂ на подложке TiO ₂ более прочны, чем связи без подложки TiO ₂ , и активность меняется по кривой вулкана.В случае обоих покрытий кислородом PtO ₂ / TiO ₂ и RhO ₂ / TiO ₂ , ΔG2, который является этапом, определяющим потенциал для каждой системы, был уменьшен, демонстрируя улучшенные активности OER ( т.е. меньшее | ηOER |) по сравнению с таковыми для PtO ₂ и RhO ₂ соответственно. В случаях OsO ₂ , TaO ₂ и NbO ₂ связи промежуточных продуктов O ^* слишком сильны в присутствии субстрата TiO ₂ , что приводит к снижению активности OER.

РИСУНОК 3 . (A) График вулкана отрицательного перенапряжения OER (−ηOER) как функции ΔG2. Цифры на вставке обозначают каждую поверхность: 1) 2O _b MO ₂ , 2) 2O _b 2O _c MO ₂ , 3) 2O _b MO ₂ / TiO ₂ и 4) 2O _b 2O _c из MO ₂ / TiO ₂ . (см. дополнительную таблицу S2). (B) Разница между перенапряжениями MO ₂ и MO ₂ / TiO ₂ [ΔηOER = ηOER (MO2 / TiO2) −ηOER (MO2)].Положительное значение ΔηOER указывает на снижение активности OER, а отрицательное значение ΔηOER отражает повышение.

Подобно предыдущим исследованиям (Rossmeisl et al., 2007; Man et al., 2011), RuO ₂ и IrO ₂ были идентифицированы как активные катализаторы OER среди кандидатов MO ₂ (т. Е. ηOER <∼0,5 В, рисунок 3А). В случае 2O _b 2O _c RuO ₂ активность OER сохраняет сходство в присутствии субстрата TiO ₂ , который расположен вблизи вершины вулкана.В общем, подложка TiO ₂ стабилизирует адсорбаты (т.е. OOH ^* , O ^* и OH ^* ) на 2O _b 2O _c RuO ₂ , который выглядит более прочным. свободные энергии адсорбции на 0,54–0,70 эВ (дополнительная таблица S1). Тем не менее, ηOER практически не изменяется (т.е. ΔηOER = −0,01 В), поскольку изменение свободной энергии на этапе определения потенциала (т.е. Δ G _{OOH *} — Δ G _{O *} ) остается аналогичным (Дополнительный Таблица S2).Кроме того, также следует отметить, что ηOER для 2O _b 2O _c IrO ₂ относительно аналогичен, все еще демонстрируя более высокую активность, чем другие кандидаты, за исключением RuO ₂ .

Изменения ηOER, вызванные подложкой TiO ₂ , суммированы на рисунке 3B. По мере того, как значение становится более отрицательным, активность MO ₂ / TiO ₂ улучшается по сравнению с активностью MO ₂ . Примечательно, что 2O _b 2O _c CrO ₂ , MnO ₂ , RuO ₂ , RhO ₂ и PtO ₂ проявляют повышенную активность.Кроме того, 2O _b RhO ₂ и PtO ₂ также демонстрируют повышенную активность на подложке TiO ₂ . Однако, независимо от покрытия, субстрат TiO ₂ снижает OER-активность VO ₂ , OsO ₂ и IrO ₂ . В частности, 2O _b 2O _c VO ₂ и 2O _b SnO ₂ демонстрируют значительно повышенные перенапряжения (ΔηOER 0,53 и 0,57 В соответственно).

Чтобы определить многообещающий режим свободной энергии для OER, мы дополнительно проанализировали свободную энергию ступеней с точки зрения ESSI, как было предложено Калле-Вальехо и его коллегами (Govindarajan et al., 2018). ESSI — это энергетический дескриптор, который указывает степень сходства с идеальным катализатором, где все этапы OER идеально симметричны при 1,23 эВ. ESSI определяется следующим уравнением и применяется только к ступеням с ΔGi (i = 1,2,3,4) ≥1,23 эВ (обозначается как ΔGi ∗):

ESSI = 1n∑in (ΔGi ∗ −1.23). (14)

На рисунке 4A показано ηOER каждой модели как функция ESSI, что представляет собой хорошую линейную корреляцию. Модель 2O _b RuO ₂ является наиболее близкой к идеальному катализатору, за ней следуют 2O _b 2O _c RuO ₂ и RuO ₂ / TiO ₂ . 2O _b PtO ₂ появляется на ηOER = ESSI (красная пунктирная линия) и имеет нулевую полосу по отношению к ESSI, что означает, что только один шаг больше 1.23 В (т.е. ΔG2 = 3,13 эВ). В присутствии подложки TiO ₂ ΔG2 для 2O _b PtO ₂ уменьшается, что приводит к уменьшению ESSI и ηOER. Между тем, 2O _b 2O _c PtO ₂ лежит относительно далеко от линии ηOER = ESSI, которая имеет широкую полосу по отношению к ESSI, и, таким образом, соответствует хорошему кандидату для оптимизации (Говиндараджан и др. ., 2018). На практике подложка TiO ₂ на 2O _b 2O _c PtO ₂ работает для увеличения активности OER с уменьшением как ηOER, так и ESSI.

РИСУНОК 4 . (A) ηOER как функция ESSI. Черная сплошная линия указывает на линейную зависимость между ηOER и ESSI. Красная пунктирная линия обозначает норму ηOER = ESSI. (B) Карта активности ESSI-ΔG2. В зависимости от активности ООР классифицируются три области: зеленая зона 1,2 эВ <ΔG2 <2,06 эВ с ESSI <0,53 В; желтая область ΔG2 <1,2 эВ или ΔG2> 2,06 эВ с ESSI <0,53 В; и красная область ESSI> 0,53 В.

Основываясь на соотношении масштабирования между ESSI и ηOER, мы определили многообещающую группу катализаторов OER, используя карту активности ESSI-ΔG2, представленную Экснером (Exner, 2019; рис. 4B).Карта активности используется для идентификации кандидатов OER путем корректировки порогового значения ESSI. Пороговое значение ESSI (<0,53 В) было определено из дополнительного рисунка S2 путем применения ηOER для IrO ₂ , который является обычным катализатором OER. Режим свободной энергии был установлен на 1,20 эВ <ΔG2 <2,06 эВ путем применения стандартного отклонения ± 0,43 эВ масштабного соотношения между ΔG2 и ΔG3 (дополнительный рисунок S3) на 1,63 эВ. Среднее значение 1,63 эВ в режиме свободной энергии определяется путем принятия порогового потенциала электрода как точки, в которой экспериментальный наклон Тафеля превышает 59 мВ / дек (т.е.е., ηOER> 0,4 ​​В) с учетом кинетики (Exner, Over, 2019). Зеленая область включает 2O _b RuO ₂ , 2O _b 2O _c RuO ₂ , 2O _b 2O _c RuO ₂ / TiO ₂ , 2O _b IrO ₂ , 2O _b 2O _c IrO ₂ , 2O _b 2O _c IrO ₂ / TiO ₂ и 2O _b 2O _c RhO ₂ , которые являются наиболее перспективными кандидатами.В частности, часть перспективных кандидатов на ООР (например, RuO ₂ , RuO ₂ / TiO ₂ , IrO ₂ , IrO ₂ / TiO ₂ и RhO ₂ / TiO ₂ ) более явно классифицируются на карте ESSI-ΔG2 (Рисунок 4B), в то время как они несколько отклоняются от вершины на графике вулкана (Рисунок 3A). Это означает, что традиционный анализ вулканов не гарантирует предсказания наиболее активного катализатора OER, тогда как карта активности ESSI-ΔG2, основанная на кинетических масштабных соотношениях, является более надежным дескриптором для OER (Exner, 2019; Exner and Over , 2019).Поверхность 2O _b 2O _c IrO ₂ демонстрирует высокую симметрию стадий реакции, сравнимую с RuO ₂ . На поверхностях 2O _b и 2O _b 2O _c RhO ₂ / TiO ₂ значения ΔG2 уменьшаются по сравнению с таковыми для RhO ₂ . Соответственно, разности свободной энергии других этапов корректируются, чтобы компенсировать уменьшение ΔG2, при сохранении ΔG2 в качестве этапа, определяющего потенциал, с уменьшенным ηOER (см.Дополнительная таблица S2). Далее, 2O _b IrO ₂ / TiO ₂ относится к области желтого цвета, которую необходимо пересмотреть для оптимизации активности (Govindarajan et al., 2019). Кандидаты в области ESSI> 0,53 В (т.е. область, выделенная красным на рисунке 4B) классифицируются как нижняя группа, демонстрируя низкую активность OER во всех диапазонах ΔG2 из-за сильно асимметричных изменений свободной энергии промежуточных продуктов OER. (Экснер, 2019).

Заключение

Мы провели скрининг различных гетероструктур оксида рутила на основе подложки TiO ₂ , используя соотношения масштабирования и соответствующие дескрипторы, чтобы определить перспективный катализатор ООР.Масштабные соотношения между промежуточными продуктами реакции демонстрируют, что гетероструктуры рутилового типа MO ₂ следуют универсальному масштабному соотношению оксидов металлов. Кроме того, подложка TiO ₂ стабилизирует связь O ^* на поверхности оксида металла (110). На основании обычного графика вулканов, RuO ₂ и IrO ₂ оказались высокоактивными катализаторами ООР, как сообщалось ранее. Исходя из дескриптора ESSI, более высокая активность RuO ₂ может быть объяснена высокой симметрией стадий реакции.Кроме того, на основе карты активности ESSI-Δ G ₂ кандидаты могут быть отнесены к оптимальной группе, второй многообещающей группе катализаторов OER с потенциалом для оптимизации и низшей группе, не требующей особого внимания.

Результаты нашего расчетного скрининга с использованием масштабных соотношений гетероструктур рутилового типа предоставляют ценную информацию о влиянии материала носителя на перенапряжение и, таким образом, руководящие принципы для разработки многообещающего катализатора ООР.

Заявление о доступности данных

Исходные материалы, представленные в исследовании, включены в статью / дополнительные материалы, дальнейшие запросы можно направлять соответствующим авторам.

Вклад авторов

Все расчеты и анализ данных были выполнены HYL. Все авторы участвовали в обсуждении результатов, а также написали и отредактировали рукопись. SKK и GYJ контролировали проект.

Финансирование

Эта работа была поддержана грантом Национального исследовательского фонда Кореи (NRF), финансируемым правительством Кореи (Министерство науки и ИКТ) (NRF-2019M1A2A2065614) и Глобальной программой стипендий для докторов наук (NRF-2019h2A2A1076827 и NRF- 2016х2А2А17).SKK благодарит грант UNIST (2.200487.01) за поддержку публикации. Вычислительные ресурсы были предоставлены системами UNIST High Performance Computing (HPC) и Корейским институтом научно-технической информации (KISTI) (KSC-2019-CRE-0255).

Конфликт интересов

Авторы заявляют, что исследование проводилось при отсутствии каких-либо коммерческих или финансовых отношений, которые могли бы быть истолкованы как потенциальный конфликт интересов.

Дополнительные материалы

Дополнительные материалы к этой статье можно найти в Интернете по адресу: https: // www.frontiersin.org/articles/10.3389/fenrg.2021.606313/full#supplementary-material.

Ссылки

Анисимовдаг В. И., Арьясетиаван Ф. и Лихтенштейн А. И. (1997). Расчеты из первых принципов электронной структуры и спектров сильно коррелированных систем: метод LDA + U. J. Phys. Конденс. Matter 9, 767–808. doi: 10.1088 / 0953-8984 / 9/4/002

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Bu, Y., Jang, H., Gwon, O., Kim, S.H., Joo, S.H., Nam, G., et al. (2019). Синергетическое взаимодействие оксидов перовскита и графена с примесью азота в универсальном электрокатализаторе. J. Mater. Chem. А 7 (5), 2048–2054. doi: 10.1039 / c8ta09919g

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Костентин, К., Савеант, Ж.-М. (2017). Теоретические и механистические аспекты переноса электронов, связанных с протонами, в электрохимии. Curr. Opin. Электрохим. 1, 104–109. doi: 10.1016 / j.coelec.2016.11.001

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Divanis, S., Кутлусой, Т., Бой, И.М.И., Ман, И.С., и Россмейсл, Дж. (2020). Реакция выделения кислорода: взгляд на десятилетие моделирования в атомном масштабе. Chem. Sci. 11, 2943. doi: 10.1039 / c9sc05897d

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Эспозито, Д. В., Хант, С. Т., Стоттлемайер, А. Л., Добсон, К. Д., МакКэндлесс, Б. Е., Биркмайр, Р. В. и др. (2010). Недорогие катализаторы выделения водорода на основе монослойной платины на подложках из монокарбида вольфрама. Angew.Chem. Int. Эд. 49, 9859–9862. doi: 10.1002 / anie.201004718

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Экснер, К. С. (2019). Критерии проектирования электрокатализаторов выделения кислорода из первых принципов: введение единого подхода к скринингу материалов. ACS Appl. Energy Mater. 2, 11. doi: 10.1021 / acsaem.9b01480

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Экснер, К. С. и Овер, Х. (2019). За пределами стадии, определяющей скорость реакции выделения кислорода над монокристаллическим IrO ₂ (110) модельный электрод: кинетические масштабные соотношения. ACS Catal. 9, 6755–6765. doi: 10.1021 / acscatal.9b01564

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Фридендал Р., Паоли Э. А., Кнудсен Б. П., Викман Б., Малакрида П., Стивенс И. Е. Л. и др. (2014). Оценка стабильности катализаторов реакции выделения кислорода: важность мониторинга потери массы. ChemElectroChem. 1, 2075–2081. doi: 10.1002 / celc.201402262

CrossRef Полный текст | Google Scholar

García ‐ Mota, M., Vojvodic, A., Метиу, Х., Ман, И. К., Су, Х.-Й., Россмейсл, Дж. И др. (2011). Настройка активности электрокатализа выделения кислорода на рутиле TiO ₂ (110) путем замещения переходным металлом. ChemCatChem. 3, 1607–1611. doi: 10.1002 / cctc.201100160

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Говиндараджан Н., Гарсия-Ластра Дж. М., Мейер Э. А. и Калле-Вальехо Ф. (2018). Гарантирует ли нарушение масштабных соотношений адсорбции и энергии усиленный электрокатализ? Curr.Opin. Электрохим. 8, 110–117. doi: 10.1016 / j.coelec.2018.03.025

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Говиндараджан Н., Копер М. Т. М., Мейер Э. Дж. И Калле-Вальехо Ф. (2019). Описание основанной на масштабировании и без масштабирования оптимизации электрокатализаторов. ACS Catal. 9, 4218–4225. doi: 10.1021 / acscatal.9b00532

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Hanaor, D. A. H., Xu, W., Ferry, M., and Sorrell, C. C. (2012). Аномальный рост зерен рутила TiO ₂ , вызванный ZrSiO ₄ . J. Cryst. Рост 359, 83–91. doi: 10.1016 / j.jcrysgro.2012.08.015

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Джин, Б., Чжоу, X., Хуанг, Л., Ликледерер, М., Ян, М., и Шмуки, П. (2016). Выровненные MoO _x / MoS ₂ нанотрубчатые структуры ядро-оболочка с высокой плотностью реакционных центров на основе самоупорядоченных анодных нанотрубок оксида молибдена. Angew. Chem., Int. Эд. Англ. 55, 12252. doi: 10.1002 / anie.201605551

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Kresse, G.и Furthmiiller, J. (1996). Эффективность неэмпирических расчетов полной энергии металлов и полупроводников с использованием базиса плоских волн. Comput. Матер. Sci. 6, 15–50. doi: 10.1016 / 0927-0256 (96) 00008-0

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Кришнамурти, Д., Сумария, В., и Вишванатан, В. (2018). Подход максимальной предсказуемости для определения правильных дескрипторов электрокаталитических реакций. J. Phys. Chem. Lett. 9, 588–595. DOI: 10.1021 / ACS.jpclett.7b02895

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Kumar, K., Canaff, C., Rousseau, J., Arrii-Clacens, S., Napporn, T. W., Habrioux, A., et al. (2016). Влияние гетерограницы оксид-углерод на активность нанокомпозитов Co ₃ O ₄ / NRGO по отношению к ORR и OER. J. Phys. Chem. С 120 (15), 7949–7958. doi: 10.1021 / acs.jpcc.6b00313

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Кунг, Х. Х. (1989). Оксиды переходных металлов: химия поверхности и катализ .Амстердам: Elsevier Science.

Куо, Д. Ю., Кавасаки, Дж. К., Нельсон, Дж. Н., Клоппенбург, Дж., Отье, Г., Шен, К. М. и др. (2017). Влияние поверхностной адсорбции на реакцию выделения кислорода на IrO ₂ (110). J. Am. Chem. Soc. 139, 3473–3479. doi: 10.1021 / jacs.6b11932

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Kuo, D. Y., Paik, H., Kloppenburg, J., Faeth, B., Shen, K. M., Schlom, D. G., et al. (2018). Измерения энергии электроадсорбции кислорода и реакции выделения кислорода на RuO ₂ (110): обсуждение принципа Сабатье и его роли в электрокатализе. J. Am. Chem. Soc. 140, 17597–17605. doi: 10.1021 / jacs.8b09657

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Ли Ю., Сунтивич Дж., Мэй К. Дж., Перри Э. Э. и Шао-Хорн Ю. (2012). Синтез и активность наночастиц рутила IrO ₂ и RuO ₂ при выделении кислорода в кислых и щелочных растворах. J. Phys. Chem. Lett. 3 (3), 399–404. doi: 10.1021 / jz2016507

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Li, X., Sun, X., Xu, X., Liu, W., Peng, H., Fang, X., et al. (2017). Окисление CO на катализаторах PdO с идеальным и дефектным рутил-TiO ₂ в качестве носителя: выяснение роли кислородной вакансии в носителе с помощью расчетов методом DFT. Заявл. Серфинг. Sci. 401, 49–56. doi: 10.1016 / j.apsusc.2016.12.210

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Лу, X. F., Chen, Y., Wang, S. B., Gao, S. Y., and Lou, X. W. (2019). Взаимодействие оксида марганца и кобальта в пористых графитовых углеродных многогранниках усиливает электрокатализ кислорода для Zn-Air аккумуляторов. Adv. Матер. 31 (39), 19. doi: 10.1002 / adma.2019

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Man, I. C., Su, H.-Y., Calle-Vallejo, F., Hansen, H.A., Martínez, J. I., Inoglu, N. G., et al. (2011). Универсальность электрокатализа выделения кислорода на оксидных поверхностях. ChemCatChem. 3, 1159–1165. doi: 10.1002 / cctc.201000397

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Oh, N.K., Kim, C., Lee, J., Kwon, O., Choi, Y., Jung, G.Y., et al.(2019). In-situ с локальным фазовым переходом MoSe ₂ в La _0,5 Sr _0,5 CoO _3-δ гетероструктура и стабильный общий электролиз воды в течение 1000 часов. Nat. Commun. 10, 1723. doi: 10.1038 / s41467-019-09339-y

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Perdew, J. P., Burke, K., and Ernzerhof, M. (1997). Обобщенное приближение градиента стало проще. Phys. Rev. Lett. 77, 3865. DOI: 10.1103 / PhysRevLett.77.3865

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Qingxiang, W., Dastafkan, K., and Chuan, Z. (2018). Стратегии разработки электрокатализаторов оксидов неблагородных металлов для реакций выделения кислорода. Curr. Opin. Электрохим. 10, 16–23. doi: 10.1016 / j.coelec.2018.03.015

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Rossmeisl, J., Qu, Z.-W., Zhu, H., Kroes, G.-J., and Nørskov, J.K. (2007). Электролиз воды на оксидных поверхностях. Электроанал.Chem. 607, 83. doi: 10.1016 / j.jelechem.2006.11.008

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Зейтсонен, А. П. и Овер, Х. (2010). Окисление HCl над TiO ₂ , нанесенным RuO ₂ : исследование теории функционала плотности. J. Phys. Chem. С 114, 22624–22629. doi: 10.1021 / jp108603a

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Зейтц, Л. К., Диккенс, К. Ф., Нишио, К., Хикита, Ю., Монтойя, Дж., Дойл, А. и др. (2016). Высокоактивный и стабильный катализатор IrO _x / SrIrO ₃ для реакции выделения кислорода. Наука 353 (6303), 1011–1014. doi: 10.1126 / science.aaf5050

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Stacchiola, D. J., Senanayake, S. D., Liu, P., and Rodriguez, J. A. (2013). Фундаментальные исследования четко определенных поверхностей оксидов смешанных металлов: особые свойства MO _x / TiO ₂ (110) {M = V, Ru, Ce или W}. Chem. Ред. 113, 4373–4390. doi: 10.1021 / cr300316v

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Suen, N.-T., Hung, S.-F., Quan, Q., Zhang, N., Xu, Y.-J., и Chen, H.M. (2017). Электрокатализ реакции выделения кислорода: недавние разработки и перспективы на будущее. Chem. Soc. Ред. 46 (337), 337–365. doi: 10.1039 / c6cs00328a

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Sun, X., Peng, X., Xu, X., Jin, H., Wang, H., and Wang, X. (2016). H ₂ адсорбция и диссоциация на пленках PdO (101), нанесенных на грань рутила TiO ₂ (110): выяснение эффекта подложки расчетами методом DFT. J. Mol. Модель. 22, 204. doi: 10.1007 / s00894-016-3072-3

PubMed Реферат | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Valdes, A., Qu, Z.-W., Kroes, G.-J., Rossmeisl, J., and Norskov, J.K. (2008). Окисление и фотоокисление воды на поверхности TiO ₂ . J. Phys. Chem. C 2, 9872–9879. doi: 10.1021 / jp711929d

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Vojvodic, A., Calle-Vallejo, F., Guo, W., Wang, S., Toftelund, A., Studt, F., и другие. (2011). О поведении соотношений Бренстеда-Эванса-Поляни для оксидов переходных металлов. J. Chem. Phys. 134, 244509. doi: 10.1063 / 1.3602323

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Wang, D. Y., Gong, M., Chou, H. L., Pan, C. J., Chen, H. A., Wu, Y., et al. (2015). Высокоактивный и стабильный гибридный катализатор из легированных кобальтом нанолистов FeS ₂ — углеродных нанотрубок для реакции выделения водорода. J. Am. Chem. Soc. 137, 1587.doi: 10.1021 / jacs.5b07788

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Wei, W., Dai, Y., Huang, B., Li, X., Nagele, F., Over, H., et al. (2015). Функциональная характеристика плотности электронной структуры и изгиба зон рутиловых гетероструктур RuO ₂ / TiO ₂ (110). J. Phys. Chem. С 119, 12394–12399. doi: 10.1021 / acs.jpcc.5b01884

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Xiao, Z., Huang, Y.-C., Dong, C.-Л., Се, К., Лю, З., Ду, С. и др. (2020). Операндная идентификация динамического поведения богатого кислородными вакансиями Co ₃ O ₄ для реакции выделения кислорода. J. Am. Chem. Soc. 142, 12087. doi: 10.1021 / jacs.0c00257

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Сюй З., Россмейсл Дж. И Китчин Дж. Р. (2015). Линейный отклик DFT + U-исследование тенденций активности выделения кислорода диоксидами рутила переходных металлов. J. Phys.Chem. С 119, 4827–4833. doi: 10.1021 / jp511426q

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Zhou, W., Hou, D., Sang, Y., Yao, S., Zhou, J., Li, G., et al. (2014). MoO ₂ наноленты @ самодегированные азотом нанолисты MoS ₂ в качестве эффективных электрокатализаторов реакции выделения водорода. J. Mater. Chem. A 2, 11358. doi: 10.1039 / c4ta01898b

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Верхние электроды из оксида иридия для улучшения пьезо- и пироэлектрических характеристик в тонкопленочных устройствах из цирконата-титаната свинца

1

Sama N, Herdier R, Jenkins D, Soyer C, Remiens D, Detalle M, Bouregba R (2008) О влиянии верхнего и нижнего электродов — сравнительное исследование электродов из Pt и LNO для тонких пленок PZT.J Cryst Growth 310 (14): 3299–3302. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.04.025

CAS Статья Google Scholar

2

Qiu P, Ding A, He X, Luo W (2000) Влияние верхнего электрода конденсатора PZT на сегнетоэлектрические свойства. В: 4-я Международная конференция по физике и применению тонких пленок. SPIE, p 4

3

Lee JJ, Thio CL, Desu SB (1995) Электродные контакты на сегнетоэлектрике Pb (Zr _x Ti1 − x) O ₃ и SrBi ₂ Ta ₂ O ₉ тонкие пленки и их влияние на усталостные свойства.J Appl Phys 78 (8): 5073–5078. https://doi.org/10.1063/1.359737

CAS Статья Google Scholar

4

Pintilie L, Pasuk I, Negrea R, Filip LD, Pintilie I (2012) Влияние границы раздела верхнего электрода на гистерезисное поведение эпитаксиальных сегнетоэлектрических тонких пленок Pb (Zr, Ti) O3 с нижним электродом SrRuO3. J. Appl Phys 112 (6): 064116. https://doi.org/10.1063/1.4754318

CAS Статья Google Scholar

5

Потрепка Д.М., Ривас М., Ю Х, Эйндоу М., Фокс Г.Р., Полкавич Р.Г. (2018) Влияние нижних электродов из IrO ₂ / Pt, IrO ₂ и Pt на структуру и электрические свойства Устройства пьезоэлектрических микроэлектромеханических систем на основе ЦТС.J Mater Sci Mater Electron 29 (13): 11367–11377. https://doi.org/10.1007/s10854-018-9224-8

CAS Статья Google Scholar

6

Санчес Л.М., Потрепка Д.М., Фокс Г.Р., Такеучи И., Ван К., Бендерский Л.А., Полкавич Р.Г. (2013) Оптимизация затравочных слоев PbTiO ₃ и металлизация Pt для приводов пьезоМЭМС на основе PZT. J Mater Res 28 (14): 1920–1931. https://doi.org/10.1557/jmr.2013.172

CAS Статья Google Scholar

7

Хуанг А., Шанниграхи С.Р. (2011) Влияние нижнего электрода и резистивного слоя на диэлектрические и сегнетоэлектрические свойства золь-гель-полученных тонких пленок BiFeO ₃ .J Alloy Compd 509 (5): 2054–2059. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2010.10.135

CAS Статья Google Scholar

8

Hong S, Colla EL, Kim E, Taylor DV, Tagantsev AK, Muralt P, No K, Setter N (1999) Исследование зарождения и роста доменов во время переключения поляризации в Pb (Zr, Ti) O с высоким разрешением ₃ сегнетоэлектрические тонкопленочные конденсаторы. Журнал прикладной физики 86 (1): 607–613. https://doi.org/10.1063/1.370774

CAS Статья Google Scholar

9

Tak Y-H, Kim K-B, Park H-G, Lee K-H, Lee J-R (2002) Критерии для тонкой пленки ITO (оксид индия-олова) в качестве нижнего электрода органического светоизлучающего диода.Тонкие твердые пленки 411 (1): 12–16. https://doi.org/10.1016/S0040-6090(02)00165-7

CAS Статья Google Scholar

10

Fox GR, Sun S, Takamatsu T (2000) Свойства реактивно распыленного IrO _x для электродов из PZT. Интегр Сегнетоэлектр 31 (1–4): 47–56. https://doi.org/10.1080/10584580008215639

CAS Статья Google Scholar

11

Накамура Т., Накао Ю., Камисава А., Такасу Х (1994) Получение тонких пленок Pb (Zr, Ti) O ₃ на электродах, включая IrO ₂ .Appl Phys Lett 65 (12): 1522–1524. https://doi.org/10.1063/1.112031

CAS Статья Google Scholar

12

Накамура Т., Накао Ю., Камисава А., Такасу Х (1994) Получение тонких пленок Pb (Zr, Ti) O ₃ на Ir и IrO ₂ электродах. Jpn J Appl Phys 33 (9S): 5207

CAS Статья Google Scholar

13

Bouyssou E, Leduc P, Guégan G, Jérisian R (2005) Проводимость тока утечки в структурах IrO ₂ / PZT / Pt.J Phys: Conf Ser 10 (1): 317

CAS Google Scholar

14

Ав О., Топалов Г., Ганске Г., Моква В., Шнакенберг Ю. (2009) Оксид иридия, нанесенный импульсным распылением на постоянном токе для стимулирующих электродов. J Micromech Microeng 19 (7): 074009

Артикул Google Scholar

15

Klein JD, Clauson SL, Cogan SF (1989) Морфология и зарядовая емкость напыленных пленок оксида иридия.J Vac Sci Technol A 7 (5): 3043–3047. https://doi.org/10.1116/1.576313

CAS Статья Google Scholar

16

Hag-Ju C, Hideki H, Cheol Seong H, Jin-Won K, Chang Seok K, Byoung Taek L, Sang In L, Young Bum K, Moon Yong L (1997) Получение и характеристика оксида иридия тонкие пленки, выращенные методом реактивного распыления на постоянном токе. Jpn J Appl Phys 36 (3S): 1722

Google Scholar

17

Whatmore RW, Osbond PC, Shorrocks NM (1987) Сегнетоэлектрические материалы для тепловых ИК-детекторов.Сегнетоэлектрики 76 (1): 351–367. https://doi.org/10.1080/00150198708016956

CAS Статья Google Scholar

18

Ханрахан Б., Невилл С., Смит А., Тер-Габриэлян Н., Янковски Н., Уэйтс К.М. (2016) Беспроводная передача энергии посредством модулированного лазерного облучения тонких пироэлектрических пленок. Adv Mater Technol. https://doi.org/10.1002/admt.201600178

Артикул Google Scholar

19

Lang W, Kühl K, Sandmaier H (1992) Поглощающие слои для тепловых инфракрасных детекторов.Актуаторы Sens A 34 (3): 243–248. https://doi.org/10.1016/0924-4247(92)85007-O

CAS Статья Google Scholar

20

Paul M (2001) Микромашинные инфракрасные детекторы на основе тонких пироэлектрических пленок. Rep Prog Phys 64 (10): 1339

Артикул Google Scholar

21

Hanson CM, Beratan HR, Belcher JF (2001) Неохлаждаемое инфракрасное изображение с использованием тонкопленочных сегнетоэлектриков.В кн .: Симпозиум по интегральной оптике. SPIE, p 6

22

Янковский Н.Р., Смит А.Н., Ханрахан Б.М. (2016) Тепловая модель тонкопленочного импульсного пироэлектрического генератора. (50329): V001T001A010. doi: 10.1115 / HT2016–7437

23

Li Y, Zeng ZHI (2008) Упругие свойства диоксидов переходных металлов: XO ₂ (X = Ru, Rh, Os и Ir). Int J Mod Phys C 19 (08): 1269–1275. https://doi.org/10.1142/S0129183108012856

CAS Статья Google Scholar

24

Лю Ф., Фина И., Бертакко Р., Фонткуберта Дж. (2016) Выявление и контроль скрытых полей отпечатков в сегнетоэлектрических конденсаторах.Sci Rep 6: 25028. https://doi.org/10.1038/srep25028

CAS Статья Google Scholar

25

Veng Cheong L, Zhi Jiang C (2002) Моделирование эффектов пространственного заряда и барьеров Шоттки на сегнетоэлектрических тонкопленочных конденсаторах с использованием теории Ландау Халатникова. IEEE Trans Ultrason Ferroelectr Freq Control 49 (7): 980–986. https://doi.org/10.1109/TUFFC.2002.1020168

Артикул Google Scholar

26

Таганцев А.К., Столичнов И., Сеттер Н., Кросс Дж. С. (2004) Природа нелинейного отпечатка в сегнетоэлектрических пленках и долгосрочное прогнозирование потерь поляризации в сегнетоэлектрической памяти.Журнал прикладной физики 96 (11): 6616–6623. https://doi.org/10.1063/1.1805190

CAS Статья Google Scholar

27

Pandya S, Wilbur J, Kim J, Gao R, Dasgupta A, Dames C, Martin LW (2018) Пироэлектрическое преобразование энергии с большой плотностью энергии и мощности в тонких релаксорных сегнетоэлектрических пленках. Nat Mater 17 (5): 432–438. https://doi.org/10.1038/s41563-018-0059-8

CAS Статья Google Scholar

28

Hanrahan B, Espinal Y, Neville C, Rudy R, Rivas M, Smith A, Kesim MT, Alpay SP (2018) Учет различных вкладов в пироэлектричество в тонких пленках цирконата-титаната свинца.J. Appl Phys 123 (12): 124104. https://doi.org/10.1063/1.5012984

CAS Статья Google Scholar

29

Rudy RQ, Pulskamp JS, Bedair SS, Puder JM, Polcawich RG (2016) Пьезоэлектрический дисковый резонатор изгиба с потерями 1 дБ. В: Международный симпозиум по контролю частоты IEEE (IFCS), 2016 г., 9–12 мая 2016 г., стр. 1–4. Doi: 10.1109 / FCS.2016.7546788

30

Hutter JL, Bechhoefer J (1993) Калибровка наконечников атомно-силовых микроскопов.Rev Sci Instrum 64 (7): 1868–1873. https://doi.org/10.1063/1.1143970

CAS Статья Google Scholar

31

Тимошенко С. (1953) История сопротивления материалов с кратким изложением истории теории упругости и теории конструкций. McGraw Hill, Нью-Йорк

Google Scholar

32

Baker DR, Graziano MB, Hanrahan BM (2018) Наноструктурированное просветляющее покрытие из оксида иридия для окисления воды.J. Phys Chem. C 122 (23): 12207–12214. https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.8b03874

CAS Статья Google Scholar

33

Stanca SE, Hänschke F, Ihring A, Zieger G, Dellith J, Kessler E, Meyer HG (2017) Химический и электрохимический синтез платиновой сажи. Научный журнал 7 (1): 1074. https://doi.org/10.1038/s41598-017-01040-8

CAS Статья Google Scholar

34

Lang W, Kuhl K, Sandmaier H (1991) Поглощающие слои для тепловых инфракрасных детекторов.В: TRANSDUCERS ’91: 1991 Международная конференция по твердотельным датчикам и исполнительным устройствам. Сборник технических статей, 24–27 июня 1991 г., стр. 635–638. doi: 10.1109 / SENSOR.1991.148959

35

Sebald G, Pruvost S, Guyomar D (2008) Сбор энергии на основе пироэлектрических циклов Эрикссона в релаксорной сегнетоэлектрической керамике. Smart Mater Struct 17 (1): 015012. https://doi.org/10.1088/0964-1726/17/01/015012

CAS Статья Google Scholar

36

Whatmore RW, Ainger FW (1983) Пироэлектрические керамические материалы для неохлаждаемого I.Детекторы Р. В: 1983 Международная техническая конференция / Европа. SPIE, p 6

37

Pulskamp JS, Wickenden A, Polcawich R, Piekarski B, Dubey M, Smith G (2003) Смягчение остаточной деформации напряжения пленки в консольных устройствах многослойных микроэлектромеханических систем. J Vac Sci Technol B Процесс построения микроэлектронных нанометров, Meas Phenom 21 (6): 2482–2486. https://doi.org/10.1116/1.1615982

CAS Статья Google Scholar

спектральных функций, поверхности Ферми и псевдощелевых спектральных весовых распределений из теории динамического среднего поля ориентированных кластеров

CYRIL MARTINS et al.PHYSICAL REVIEW MATERIALS 2, 032001 (R) (2018)

[16] H. Watanabe, T. Shirakawa, S. Yunoki, Phys. Ред. B 89,

165115 (2014).

[17] Ю. Лю, Л. Ю, Х. Цзя, Дж. Чжао, Х. Вэн, Ю. Пэн, К. Чен, З.

Се, Д. Моу, Дж. Хэ, X. Лю , Y. Feng, H. Yi, L. Zhao, G. Liu,

S. He, X. Dong, J. Zhang, Z. Xu, C. Chen, G. Cao, X. Dai, Z.

Fang, и XJ Zhou, Sci. Отчет 5,13036 (2015).

[18] И.В. Соловьев, В.В. Мазуренко, А.А.Катанин. Ред.

B92,235109 (2015).

[19] SJ Moon, H. Jin, KW Kim, WS Choi, YS Lee, J. Yu,

G. Cao, A. Sumi, H. Funakubo, C. Bernhard, and TW Noh,

Phys. . Rev. Lett. 101, 226402 (2008).

[20] С. Дж. Мун, Х. Джин, В. С. Чой, Дж. С. Ли, С. С. А. Сео, Дж. Ю,

Г. Цао, Т. В. Но и Ю. С. Ли, Phys. Ред. B 80,195110

(2009).

[21] D. Hsieh, F. Mahmood, D. H. Torchinsky, G. Cao, N. Gedik,

Phys.Ред. B 86,035128 (2012).

[22] Л. Чжао, Д. Х. Торчинский, Х. Чу, В. Иванов, Р. Лифшиц, Р.

Флинт, Т. Ци, Г. Цао и Д. Се, Nat. Phys. 12,32 (2016).

[23] Д. Прёппер, А. Н. Яресько, М. Хёппнер, Ю. Матикс, Ю.-Л. Mathis,

Т. Такаяма, А. Мацумото, Х. Такаги, Б. Кеймер, А. В.

Борис, Phys. Ред. B 94,035158 (2016).

[24] Y. Li, R. D. Schaller, M. Zhu, D. A. Walko, J. Kim, X. Ke, L.

Miao, and Z. Q. Mao, Sci.Отчет 6,19302 (2016).

[25] К. Ван, Ю. Цао, Дж. А. Во, С. Р. Парк, Т. Ф. Ци, О. Б. Корнета,

Г. Цао, Д. С. Дессау, Phys. Ред. B 87,245109 (2013).

[26] Ю. К. Ким, О. Крупин, Дж. Д. Денлингер, А. Боствик, Е.

Ротенберг, К. Чжао, Дж. Ф. Митчелл, Дж. У. Аллен и Б. Дж. Ким,

Science 345 187 (2014).

[27] А. Ямасаки, С. Тачибана, Х. Фудзивара, А. Хигашия, А.

Иризава, О. Кирилмаз, Ф. Пфафф, П. Шайдерер, Дж.Габель, М. Синг,

Т. Муро, М. Ябаши, К. Тамасаку, Х. Сато, Х. Наматаме, М.

Танигучи, А. Хлосковский, Х. Йошида, Х. Окабе, М. Исобе,

J. Akimitsu, W. Drube, R. Claessen, T. Ishikawa, S. Imada, A.

Sekiyama, S. Suga, Phys. Ред. B 89,121111 (2014).

[28] В. Бруэ, Дж. Мансар, Л. Перфетти, К. Пиовера, И. Воборник, П. Ле

Февр, Ф. Бертран, С. К. Риггс, М. К. Шапиро, П. Хиральдо-Галло,

и И. Р. Фишер. Ред.В 92,081117 (2015).

[29] A. de la Torre, SM Walker, FY Bruno, S. Riccó, Z. Wang,

I. Gutierrez Lezama, G. Scheerer, G. Giriat, D. Jaccard, C.

Berthod, Т. К. Ким, М. Хеш, Э. К. Хантер, Р. С. Перри,

А. Тамай, Ф. Баумбергер, Phys.Rev.Lett.115,176402

(2015).

[30] YF Nie, PDC King, CH Kim, M. Uchida, HI Wei, BD

Faeth, JP Ruf, JPC Ruff, L. Xie, X. Pan, CJ Fennie, DG

Schlom, and K .М. Шен, Письма в ЖЭТФ 114016401 (2015).

[31] Дж. К. Кавасаки, М. Утида, Х. Пайк, Д. Г. Шлом и К. М.

Шен, Phys. Ред. B 94,121104 (2016).

[32] К. Пиовера, В. Бруэ, Э. Папалазару, М. Капуто, М. Марси,

А. Талеб-Ибрахими, Б. Дж. Ким и Л. Перфетти, Phys.Rev.B93,

241114 (2016).

[33] Y. Cao, Q. Wang, J. A. Waugh, T. J. Reber, H. Li, X. Zhou, S.

Parham, S.-R. Park, N.C. Plumb, E. Rotenberg, A. Bostwick,

J.Д. Денлингер, Т. Ци, М. А. Хермеле, Г. Цао и Д. С. Дессау,

Nat. Commun. 7,11367 (2016).

[34] Ю. К. Ким, Н. Х. Сунг, Дж. Д. Денлингер и Б. Дж. Ким,

Nat. Phys. 12,37 (2016).

[35] S. Chikara, O. Korneta, W. P. Crummett, L. E. DeLong, P.

Schlottmann, G. Cao, Phys.Rev.B80, 140407 (2009).

[36] М. Ге, Т. Ф. Ци, О. Б. Корнета, Д. Э. Де Лонг, П. Шлоттманн,

В. П. Краммет, Г. Цао, Phys.Rev.B84,100402 (2011).

[37] Д.А. Зокко, Дж. Дж. Хамлин, Б. Д. Уайт, Б. Дж. Ким, Дж. Р. Джеффрис,

С. Т. Вейр, Ю. К. Вохра, Дж. У. Аллен и М. Б. Мэйпл, J. Phys .:

Condens. Дело 26,255603 (2014).

[38] Л. Фрухтер, Г. Коллин, Д. Колсон и В. Бруэ, Eur.Phys.J.B

88 141 (2015).

[39] I. Pallecchi, M. T. Buscaglia, V. Buscaglia, E. Gilioli, G. Lamura,

F. Telesio, M. Cimberle и D. Marré, J. Phys .: Condens. Дело

28 065601 (2016).

[40] Г.Чжоу, X. Гу, X. Ян, X. Гао, К. Ван, Дж. Пэн, Ф. Чжан,

и X.S. Wu, AIP Adv. 7,055823 (2017).

[41] Q.Li, G.Cao, S.Okamoto, J.Yi, W.Lin, B.C.Sales, J.Yan, R.

Арита, Дж. Кунес, А. В. Кожевников, А. Г. Эгуилуз, М. Имада,

З. Гай, М. Пан, Д. Г. Мандрус, Sci. Отчет 33073 (2013).

[42] Дж. Дай, Э. Каллея, Дж. Цао, К. МакЭлрой, Phys.Rev.B90,

041102 (2014).

[43] Д. Хаскель, Г. Фаббрис, М. Жерненков, П. П. Конг, К. К.Jin,

G. Cao, and M. van Veenendaal, Phys. Rev. Lett. 109 027204

(2012).

[44] С. Фудзияма, Х. Осуми, Т. Комесу, Дж. Мацуно, Б. Дж. Ким, М.

Таката, Т. Арима и Х. Такаги, Phys.Rev.Lett.108,247212

(2012).

[45] Дж. Ким, Д. Каса, М. Х. Аптон, Т. Гог, Я.-Дж. Ким, Дж. Ф.

Митчелл, М. ван Венендал, М. Дагхофер, Дж. Ван ден Бринк, Г.

Халиуллин, Б. Дж. Ким, Phys.Rev.Lett.108, 177003 (2012).

[46] С.Фудзияма, Х. Осуми, К. Охаши, Д. Хираи, Б. Дж. Ким, Т.

Арима, М. Таката и Х. Такаги, Phys.Rev.Lett.112,016405

(2014).

[47] Дж. Ким, М. Дагхофер, А. Х. Саид, Т. Гог, Дж. Ван ден Бринк, Г.

Халиуллин и Б. Дж. Ким, Nat. Commun. 5,4453 (2014).

[48] S. Agrestini, C.-Y. Куо, М. М. Сала, З. Ху, Д. Касинатан,

К.-Т. Ко, П. Глатцель, М. Росси, Ж.-Д. Кафун, К.О. Квашнина,

А. Мацумото, Т. Такаяма, Х. Такаги, Л.H. Tjeng, M. W.

Haverkort, Phys. Ред. B 95,205123 (2017).

[49] T. F. Qi, O. B. Korneta, L. Li, K. Butrouna, V. S. Cao, X. Wan, P.

Schlottmann, R.K. Kaul, and G. Cao, Phys. Ред. B 86,125105

(2012).

[50] H. D. Zhao, J. Terzic, H. Zheng, Y. F. Ni, Y. Zhang, F. Ye, P.

Schlottmann, and G. Cao, arXiv: 1712.05518.

[51] A. Hampel, C. Piefke, F. Lechermann, Phys.Rev.B92,

085141 (2015).

[52] С.Мозер, Л. Морескини, А. Эбрахими, Б. Д. Пьяцца, М. Исобе, Х.

Окабе, Дж. Акимицу, В. В. Мазуренко, К. С. Ким, А. Боствик,

Э. Ротенберг, Дж. Чанг, Х. М. Роннов, and M. Grioni, New J.

Phys. 16 013008 (2014).

[53] М. Учида, Ю. Ф. Ни, П. Д. К. Кинг, К. Х. Ким, К. Дж. Фенни,

Д. Г. Шлом и К. М. Шен, Phys. Ред. B 90,075142 (2014).

[54] Y. Klein, I. Terasaki, J. Phys .: Condens. Дело 20,295201

(2008).

[55] Дж. С. Ли, Ю. Крокенбергер, К. С. Такахаши, М. Кавасаки и

Ю. Токура, Phys.Rev.B85, 035101 (2012).

[56] S. Calder, J. W. Kim, G.-X. Cao, C. Cantoni, A. F. May, H. B.

Cao, A. A. Aczel, M. Matsuda, Y. Choi, D. Haskel, B. C. Sales,

D. Mandrus, M. D. Lumsden и A. D. Christianson, Phys. Ред.

B92,165128 (2015).

[57] X. Chen, T. Hogan, D. Walkup, W. Zhou, M. Pokharel, M. Yao,

W. Tian, ​​T. Z.Ward, Y. Zhao, D. Parshall, C. Opeil, J. W. Lynn,

,

V. Madhavan, и S.D. Wilson, Phys. Ред. B 92,075125 (2015).

[58] И. Баттисти, В. Федосеев, К. М. Бастиан, А. де ла Торре, Р. С.

Перри, Ф. Баумбергер и М. П. Аллан, Phys. Ред. B 95,235141

(2017).

032001-6

IJERPH | Бесплатный полнотекстовый | Экономические эффекты политики расширения использования возобновляемых источников энергии: вычислимый анализ общего равновесия для Кореи

В этом разделе сначала описываются результаты моделирования сценария, в котором возобновляемая энергия расширяется при отсутствии регулирования выбросов парниковых газов.Затем объясняются результаты моделирования сценария, в котором возобновляемая энергия расширяется, а выбросы парниковых газов регулируются посредством ETS.

4.1. Эффекты расширения солнечной фотоэлектрической и ветровой генерации

Таблица 6 показывает результаты сценариев, в которых доля солнечной фотоэлектрической энергии увеличивается примерно до 7% в соответствии с политикой расширения использования возобновляемых источников энергии. Он содержит результаты одного сценария, где финансирование предоставляется за счет единовременного налога (SOL-LT), и другого сценария, где финансирование предоставляется за счет налогообложения в электроэнергетическом секторе (SOL-ET), а также другого сценария, когда финансирование предоставляется через налог на выбросы углерода в масштабах всей экономики (SOL-CT).Когда доля солнечной фотоэлектрической энергии увеличивается с 0,7% в базовом году до примерно 7,0% из-за государственных субсидий, изменения в благосостоянии (реальное потребление товаров репрезентативным домохозяйством), ВВП, ставке заработной платы, цене на электроэнергию и парниковых газах выбросы наблюдаются.

Когда доля солнечной фотоэлектрической энергии увеличивается примерно до 7%, благосостояние снижается на 0,84%, 0,85% и 0,93% для сценариев SOL-LT, SOL-ET и SOL-CT соответственно. Кроме того, ВВП снижается на 0,37%, 0,44% и 0,52% для сценариев SOL-LT, SOL-ET и SOL-CT соответственно.Снижение, похоже, исходит как от государственного, так и от частного секторов, которые сокращают потребление из-за бремени финансирования государственных субсидий на расширение солнечной фотоэлектрической энергии. Влияние расширения солнечных панелей на спрос на рабочую силу можно увидеть по изменению уровня заработной платы (цены на рабочую силу). Поскольку модель предполагает полностью мобильную рабочую силу с полной занятостью, повышение ставки заработной платы можно интерпретировать как увеличение спроса на рабочую силу (что можно интерпретировать как увеличение занятости в реальной экономической ситуации).Спрос на рабочую силу, который можно увидеть в зависимости от изменения ставки заработной платы, показывает разные результаты в SOL-LT, SOL-ET и SOL-CT. Он увеличивается примерно на 0,37% в SOL-LT и уменьшается примерно на 0,19% и 0,37% в SOL-ET и SOL-CT. Однако цена на электроэнергию снижается на 7,08% в SOL-LT и увеличивается на 3,90% в SOL-ET. В SOL-CT цена на электроэнергию немного снизилась на 1,63%. В SOL-LT объем производства солнечной фотоэлектрической энергии увеличивается из-за субсидий на возобновляемые источники энергии, что приводит к общему увеличению общей выработки электроэнергии.Однако спрос на электроэнергию снижается из-за снижения ВВП. Таким образом, цены на электроэнергию значительно падают. Спрос на рабочую силу увеличивается в основном из-за увеличения производства солнечной фотоэлектрической энергии. То есть спрос на рабочую силу увеличивается, поскольку существующий сектор производства ископаемого топлива, который является капиталоемким и энергоемким, заменяется сектором солнечной фотоэлектрической энергии, который является (относительно) трудоемким и требует большего количества промежуточных товаров. Однако в SOL-ET цена на электроэнергию возрастает по мере увеличения производства солнечной фотоэлектрической энергии, поскольку субсидия на возобновляемую энергию происходит за счет налогообложения в секторе производства электроэнергии.Налог в секторе производства электроэнергии, по-видимому, является бременем для существующего сектора производства электроэнергии на ископаемом топливе, что снижает его спрос на рабочую силу и приводит к снижению общего спроса на рабочую силу. В SOL-CT снижение ВВП и благосостояния больше, чем в других сценариях, поскольку налог на выбросы углерода влечет дополнительные расходы для энергоемких отраслей, а также для сектора электроэнергетики, которые составляют значительную часть корейской экономики. Снижение спроса на рабочую силу и электроэнергию из-за снижения экономической активности приводит к снижению ставок заработной платы и цены на электроэнергию.Между тем расширение использования возобновляемых источников энергии заменяет существующую выработку электроэнергии на угле и газе, тем самым сокращая выбросы парниковых газов. Выбросы парниковых газов снижаются на 6,42% в SOL-LT, на 9,23% в SOL-ET и на 14,90% в SOL-CT, когда доля солнечных фотоэлектрических генераторов достигает 7%. Снижение SOL-CT является самым большим, потому что налог на выбросы углерода значительно снижает производственную деятельность в энергоемких отраслях (таких как промышленность основных металлов).

В таблице 7 показаны изменения в благосостоянии, ВВП, ставках заработной платы, ценах на электроэнергию и выбросах парниковых газов при увеличении выработки ветровой энергии с 0.От 2% до примерно 7% за счет государственных субсидий. В целом, это показывает аналогичную тенденцию в увеличении солнечной фотоэлектрической энергии; однако размер эффекта немного больше. Например, при увеличении выработки ветровой энергии до 7% ВВП демонстрирует снижение примерно на 0,63% в WIN-LT, показывая большее снижение по сравнению с SOL-LT (0,37%). Эта разница, по-видимому, вызвана изначально более низкой долей производства энергии ветра (около 0,2%), а также различиями в структуре затрат на производство солнечной энергии и энергии ветра.Alsharif et al. [34] отметили, что большие сезонные колебания скорости и направления ветра, большие расстояния между мегаполисами и потенциальными ветряными электростанциями, а также отсутствие конкурентоспособных отечественных производителей являются факторами, замедляющими распространение ветровой генерации (по сравнению с солнечными фотоэлектрическими батареями) в Корее. . Результаты в таблице 7 также частично отражают эти факторы. WIN-ET показывает немного большее снижение ВВП по сравнению с WIN-LT, что, по-видимому, связано с замедлением промышленной активности, поскольку цена на электроэнергию значительно возрастает.Однако наибольшее снижение благосостояния и ВВП показано в сценарии WIN-CT. В WIN-LT цены на электроэнергию резко падают из-за сочетания снижения спроса на электроэнергию в результате замедления промышленной деятельности и эффекта субсидий в секторе возобновляемых источников энергии. Однако в WIN-ET цены на электроэнергию резко вырастают на 8%, поскольку затраты на расширение ветроэнергетики ложатся на сектор производства электроэнергии. Когда вводится налог на выбросы углерода (как в случае WIN-CT), существуют два типа действий, которые влияют на цену электроэнергии в противоположных направлениях.Первое — это снижение спроса на электроэнергию из-за снижения экономической активности, а второе — повышение стоимости производства электроэнергии из-за налога на выбросы углерода, взимаемого с источников производства ископаемого топлива. В SOL-CT взаимодействие между двумя эффектами привело к снижению цены на электроэнергию. Однако в WIN-CT эффекты, похоже, действуют таким образом, чтобы увеличить цену на электроэнергию.

Выбросы парниковых газов в Корее сокращаются из-за снижения ВВП и декарбонизации сектора производства электроэнергии.В сценарии WIN-ET такие факторы также сочетаются с повышением цен на электроэнергию и сокращением выработки электроэнергии, что приводит к снижению выбросов парниковых газов на 10,60%. Кроме того, в WIN-CT выбросы снижаются на 18,20% по сравнению с ситуацией базового года из-за снижения активности в энергоемких отраслях промышленности.

Таблицы 8 и 9 показывают влияние увеличения доли солнечной фотоэлектрической и ветровой энергии в каждой отрасли. В то время как в большинстве отраслей наблюдается небольшое снижение объемов производства из-за снижения ВВП и потребления, в добывающей отрасли, которая поставляет детали и модули для солнечных фотоэлектрических и ветряных электростанций, наблюдаются признаки стимулирования.Когда доля солнечной фотоэлектрической энергии увеличивается, отраслью с наибольшим увеличением производства среди обрабатывающих производств становится отрасль CHE, которая поставляет компоненты для фотоэлектрических генераторов, такие как солнечные панели из поликремния. В SOL-LT выпуск отрасли CHE увеличивается на 3,65%, поскольку доля фотоэлектрических солнечных батарей увеличивается до 7%. Также увеличивается объем производства в отраслях MAC и ECT, которые поставляют материалы, используемые в солнечных фотоэлектрических панелях. Когда доля ветроэнергетики увеличивается, рост производства наиболее заметен в отрасли MAC.В WIN-LT выпуск отрасли MAC увеличивается на 4,90%. Промышленность MAC поставляет основные модули, такие как турбины, для ветряных генераторов. Выпуск отрасли ECT, которая поставляет такие модули, как инверторы, также увеличивается на 1,30%. Между тем, объем производства в отрасли AUT снижается из-за роста цен на промежуточные товары, необходимые (например, металлические изделия, механическое и электронное оборудование) из-за расширения солнечных фотоэлектрических и ветроэнергетических установок. Более того, поскольку автомобили и транспортное оборудование являются в основном товарами конечного потребления, сокращение потребления из-за налогового бремени, по-видимому, повлияло на сокращение выпуска автомобилей и транспортного оборудования.В отрасли IRO выход увеличивается в SOL-LT и WIN-LT, тогда как выход уменьшается в SOL-ET, SOL-CT, WIN-ET и WIN-CT. Снижение гораздо более выражено в сценариях налога на выбросы углерода (CT). IRO — одна из отраслей, потребляющих большое количество электроэнергии и угля. В SOL-LT и WIN-LT производственные затраты в отрасли IRO снижаются из-за снижения цен на электроэнергию; таким образом, выход увеличивается. В SOL-ET и WIN-ET наблюдаются противоположные эффекты, вызванные повышением цен на электроэнергию.В SOL-CT и WIN-CT спад в отрасли IRO очень велик, потому что промышленность требует большого количества угля в качестве источника энергии, а также сырья. Аналогичная тенденция наблюдается в отрасли NMP, которая также потребляет большое количество электроэнергии и ископаемого топлива. Таблица 10 и Таблица 11 показывают изменения в количестве общей выработки электроэнергии, угля и газа при расширении производства солнечной энергии и энергии ветра. . Общая выработка электроэнергии в электроэнергетике увеличивается в 2 раза.63% и 2,81% соответственно в сценариях SOL-LT и WIN-LT из-за поддержки сектора возобновляемой энергетики. Однако в сценариях SOL-ET и WIN-ET объем выработки электроэнергии снижается на 2,92% и 4,81% соответственно из-за налоговой нагрузки на отрасль производства электроэнергии и роста цен на электроэнергию. В сценариях SOL-CT и WIN-CT общая выработка электроэнергии снижается на 0,65% и 1,80% соответственно. По всем сценариям, объем производства газа значительно больше, чем угля.Возобновляемые источники энергии в основном заменяют производство электроэнергии на газе, поскольку газовые электростанции могут работать гибко, а стоимость топлива выше по сравнению с угольными электростанциями. Однако, когда применяется налог на выбросы углерода (SOL-CT и WIN-CT), объем выработки угольной энергии также значительно снижается (-23,63% для SOL-CT и -28,48% для WIN-CT) из-за высокой интенсивности выбросов парниковых газов. .

4.2. Влияние расширения солнечной фотоэлектрической и ветровой энергии при наличии нормативных требований по выбросам

В этом разделе рассматриваются эффекты расширения солнечной фотоэлектрической и ветровой энергетики, когда выбросы парниковых газов регулируются для достижения 20% -ного сокращения с помощью ETS для всей экономики.То есть он наблюдает за взаимодействием между правилами выбросов и политикой расширения использования возобновляемых источников энергии.

Когда внедряется ETS в масштабах всей экономики, цены на существующие источники выработки энергии на ископаемом топливе повышаются, тем самым повышая конкурентоспособность возобновляемых источников энергии. Таким образом, даже если не существует отдельной политики поддержки, доля солнечных фотоэлектрических и ветряных электростанций увеличивается до примерно 1,0% и 0,3% соответственно. Более того, цена углеродного кредита, который позволяет выбросить 1 тонну парниковых газов (TCO ₂ экв.), Достигает примерно 42.57 тыс. Вон.

В таблице 12 показаны макроэкономические эффекты увеличения производства солнечной фотоэлектрической энергии, когда выбросы регулируются (когда выбросы парниковых газов регулируются для достижения 20% -ного сокращения с помощью СТВ для всей экономики). Даже при отсутствии политики государственной поддержки из-за регулирования выбросов, доля солнечной фотоэлектрической энергии увеличивается примерно до 1,0% из-за внедрения ETS. В случае SOL-LT / ETS, ВВП уменьшается как доля солнечной энергии. Производство фотоэлектрической энергии увеличивается примерно до 7%.Однако величина снижения невелика по сравнению со сценарием SOL-LT. В SOL-LT / ETS ВВП уменьшается примерно на 0,13% p, с -0,54% до -0,67%, что намного меньше, чем снижение на 0,37% в сценарии SOL-LT. При введении в действие нормативов по выбросам потребность в факторах производства, таких как рабочая сила и капитал, снижается по мере того, как промышленная деятельность замедляется, а стоимость производства электроэнергии из ископаемого топлива возрастает из-за оплаты углеродных кредитов. Таким образом, политика расширения использования возобновляемых источников энергии оказывает положительное влияние на оживление производственной деятельности в смежных отраслях, повышение спроса на рабочую силу и капитал и снижение роста цен на электроэнергию.Следовательно, снижение ВВП из-за расширения использования возобновляемых источников энергии относительно меньше. Можно сказать, что такие результаты подтверждают рациональность пакетов стимулов, таких как «Новый зеленый курс», как утверждали Фултон и др. [35], Böhringer et al. [17] и Oh et al. [8]. Во время экономического спада политика расширения использования возобновляемых источников энергии может способствовать использованию избыточного капитала и производственных мощностей и решить проблему безработицы. Аналогичную тенденцию можно обнаружить, если посмотреть на изменения в уровне благосостояния. Снижение благосостояния в SOL-LT / ETS из-за расширения солнечных фотоэлектрических систем составляет около 0.55% p, с -0,51% до -1,06%, что меньше снижения на 0,84% в сценарии SOL-LT.

В сценарии SOL-LT / ETS спрос на рабочую силу, который можно рассматривать с точки зрения изменений ставок заработной платы, первоначально показывает снижение примерно на 1,95% из-за снижения производственной активности при внедрении ETS. Однако, когда доля солнечной фотоэлектрической энергии увеличивается до 7%, спрос на рабочую силу снижается на 0,96%. Большая часть увеличения спроса на рабочую силу происходит за счет расширения солнечной фотоэлектрической отрасли.В SOL-LT / ETS цена на электроэнергию быстро растет на 12,97%, поскольку цены на ископаемое топливо растут из-за ETS. Однако, когда правительство начинает финансирование расширения солнечной фотоэлектрической энергетики, цены на электроэнергию значительно снижаются до 2,81%. Цена углеродного кредита для сокращения выбросов парниковых газов на 20% снижается с 42,57 тыс. Вон до 27,42 тыс. Вон, поскольку доля солнечной фотоэлектрической энергии увеличивается. Учитывая декарбонизацию энергетического сектора, количество выбросов углерода уменьшается, что снижает спрос, а также стоимость углеродного кредита.

Между тем, в SOL-ET / ETS, когда доля солнечной фотоэлектрической энергии увеличивается до 7%, степень, в которой спрос на рабочую силу и цены на электроэнергию увеличивается (с -1,95% до -1,22%) и уменьшается (с От 12,97% до 11,12%), соответственно, меньше по сравнению со случаем SOL-LT / ETS. В SOL-ET / ETS спрос на рабочую силу в существующей отрасли производства электроэнергии на основе ископаемого топлива снижается из-за налогообложения в отрасли производства электроэнергии для финансирования расширения использования возобновляемых источников энергии. На цену на электроэнергию влияют многие факторы: хотя налогообложение может привести к росту цен на электроэнергию, декарбонизация электроэнергетики, что приводит к снижению спроса на углеродные кредиты со стороны электроэнергетического сектора, а также снижение спроса на электроэнергию из-за замедления темпов роста. на общем уровне экономической активности может привести к падению цен на электроэнергию.Учитывая сочетание этих эффектов, рост цены на электроэнергию снижается с 12,97% до 11,12% по мере увеличения доли солнечной фотоэлектрической энергии. Однако цена углеродного кредита достигает 22,8 тыс. Вон в случае SOL-ET / ETS, что ниже, чем у SOL-LT / ETS, поскольку доля солнечной фотоэлектрической энергии достигает 7%. Сокращение производства ископаемого топлива в результате налога на всю энергетическую отрасль, по-видимому, объясняет результат. Соответственно, спрос на углеродный кредит также снижается по сравнению со спросом на SOL-LT / ETS.Замедление общей производственной активности экономики также может способствовать снижению цен на углеродные кредиты.

В таблице 13 показаны макроэкономические эффекты увеличения выработки ветровой энергии, когда выбросы регулируются (когда выбросы парниковых газов регулируются для достижения 20% -ного сокращения с помощью СТВ для всей экономики). Даже без политики государственной поддержки в связи с регулированием выбросов, доля ветроэнергетики увеличится примерно до 0,3%.

В WIN-LT / ETS, когда доля ветроэнергетики увеличивается примерно до 7% за счет субсидий, ВВП уменьшается с -0.От 54% до -0,90%. То есть происходит дополнительное падение ВВП примерно на 0,36% p, что меньше снижения на 0,63% в сценарии WIN-LT. Хотя степень сокращения варьируется, общая тенденция аналогична случаю расширения солнечных фотоэлектрических систем. Между тем, в WIN-ET / ETS цены на электроэнергию растут до тех пор, пока доля ветроэнергетики не увеличится до 5%, а затем упадут. Такое изменение направления цен на электроэнергию, по-видимому, является результатом взаимодействия между налоговым эффектом для отрасли производства электроэнергии (что вызывает рост цен на электроэнергию) и декарбонизацией отрасли производства электроэнергии, а также снижением спроса на электроэнергию (что вызывает рост цен на электроэнергию). вызывают падение цен на электроэнергию).

В таблицах 14 и 15 влияние на каждую отрасль наблюдается в сценариях SOL-LT / ETS, SOL-ET / ETS, WIN-LT / ETS и WIN-ET / ETS, где доля солнечных фотоэлектрических и выработка ветровой энергии увеличивается до 7% в рамках ETS. Отрасль, на которую наиболее негативно влияют нормы выбросов, — это отрасль IRO, которая потребляет большое количество угля. При внедрении ETS объем производства в отрасли IRO снижается примерно на 16,25%. Однако уровень снижения производства в отрасли IRO снижается примерно до 9–11%, когда доля производства возобновляемой энергии достигает 7%.Этот рост производства в отрасли IRO является результатом увеличения спроса на промежуточные материалы, необходимые для производства генераторов возобновляемой энергии, а также снижения спроса и стоимости углеродного кредита из-за декарбонизации отрасли производства электроэнергии. Отрасль TRN, на которую влияет рост цен на нефть из-за ETS, демонстрирует аналогичную тенденцию. По мере увеличения доли возобновляемых источников энергии выпуск отрасли TRN увеличивается из-за снижения цены углеродного кредита.Однако увеличение доли возобновляемых источников энергии приводит к увеличению объемов добычи в добывающей отрасли. Что касается отрасли CHE, то объем производства снизился на 2,90% из-за нормативов выбросов. Однако по мере увеличения доли солнечной энергии в производстве фотоэлектрических панелей в сценарии SOL-LT / ETS изменения в выпуске продукции CHE становятся положительными (рост 1,49%) из-за увеличения спроса на промежуточные материалы (например, поликремний для солнечные фотоэлектрические панели). Точно так же в индустрии MAC выпуск сокращается на 1.45% из-за норм выбросов. Однако в сценарии WIN-LT / ETS объем производства MAC-индустрии увеличивается на 3,52%, когда доля ветроэнергетики увеличивается до 7%.

Между тем, некоторые отрасли выигрывают при наличии нормативов выбросов, например, отрасли, в которых доля затрат, связанных с энергией, в общих производственных затратах мала, а также отрасли, ориентированные на экспорт, которые косвенно получают выгоду от более низких капитальных затрат и затрат на рабочую силу из-за замедления темпов роста. в общем промышленном производстве. Отрасль ECT — типичный случай.Выпуск отрасли ECT увеличивается на 4,38% при внедрении ETS. Однако рост производства в отрасли ДЭХ снижается по мере увеличения выработки солнечной энергии и энергии ветра. Эта ситуация возникает из-за того, что растущая доля производства возобновляемой энергии увеличивает спрос на рабочую силу и капитал, что ослабляет относительную конкурентоспособность по затратам, которой обладает отрасль ДЭХ.

Таблицы 16 и 17 показывают изменения в производстве угля и газа при расширении производства солнечной энергии и энергии ветра с учетом нормативов выбросов.При отсутствии субсидий на солнечные фотоэлектрические установки или расширение ветровой энергии правила выбросов парниковых газов значительно сокращают выработку угля с большой интенсивностью выбросов и увеличивают производство газа с относительно низкой интенсивностью выбросов. Произошло резкое изменение структуры производства электроэнергии: производство угля снизилось на 33,43%, а производство газа увеличилось на 18,90%. Таким образом, общая выработка электроэнергии снижается на 6,63%. Между тем, уровень снижения общей выработки электроэнергии становится меньше с расширением использования возобновляемых источников энергии в сценариях SOL-LT / ETS и WIN-LT / ETS.Эта ситуация возникает из-за того, что существующий сектор производства электроэнергии на ископаемом топливе косвенно выигрывает от снижения цены углеродного кредита, вызванного расширением использования возобновляемых источников энергии. Однако в сценариях SOL-ET / ETS и WIN-ET / ETS не наблюдается заметных изменений в общем объеме производства электроэнергии с расширением использования возобновляемых источников энергии. Эта ситуация, по-видимому, возникает из-за того, что финансирование расширения использования возобновляемых источников энергии поступает от электроэнергетики.

Когда возобновляемая энергия расширяется, объем производства электроэнергии на газе, а не на угле, сокращается.Во всех сценариях расширение производства возобновляемой энергии быстро заменяет производство электроэнергии на газе. Производство электроэнергии на газе первоначально увеличивается на 18,90% после внедрения ETS. Однако он показывает значительное снижение до 26–40% по сравнению с базовым годом, поскольку доля производства возобновляемой энергии увеличилась до 7%. Более того, угольная энергетика демонстрирует небольшой рост, когда возобновляемая энергия расширяется в рамках ETS.

Берингер и Розендаль [36] также наблюдали феномен, в котором секторы, такие как угольная энергетика, с большой интенсивностью выбросов выигрывают от расширения использования возобновляемых источников энергии, когда существуют частично совпадающие правила, такие как ETS и политика расширения возобновляемых источников энергии.Согласно Böhringer и Rosendahl [36], когда доля возобновляемых источников энергии увеличивается, количество энергии, генерируемой ископаемым топливом, должно уменьшаться (Эффект 1). Более того, соответственно сокращаются выбросы парниковых газов и снижается цена углеродного кредита (Эффект 2). Эффект 1 обременяет все источники ископаемого топлива, уменьшая их выход. Однако Эффект 2 предлагает стимулы для источников энергии и отраслей с высокой интенсивностью выбросов (например, угольная энергетика и отрасль IRO). Таким образом, источники энергии с высокой интенсивностью выбросов, такие как производство угля, косвенно выигрывают от взаимодействия между Эффектом 1 и Эффектом 2.Эти эффекты также хорошо наблюдаются в результатах моделирования этой модели. При принятии политики расширения использования возобновляемых источников энергии объем выработки электроэнергии на угле и газе уменьшается, как показано в Таблице 10 и Таблице 11 (Эффект 1). Однако, когда в секторе выработки электроэнергии существуют частично совпадающие правила, такие как ETS и политика расширения использования возобновляемых источников энергии, расширение использования возобновляемых источников энергии может создать стимулы для отраслей и источников энергии с более высокой интенсивностью выбросов (Эффект 2). В сценариях, где существует перекрывающаяся генерация (SOL-LT / ETS, SOL-ET / ETS, WIN-LT / ETS, WIN-ET / ETS), расширение использования возобновляемых источников энергии работает таким образом, чтобы снизить цену углеродного кредита. (Таблица 12 и Таблица 13), что приводит к увеличению или поддержанию объемов выработки электроэнергии на угле по сравнению с выработкой электроэнергии на газе (Таблица 16 и Таблица 17).Например, в сценарии SOL-LT / ETS объем выработки угольной энергии увеличится с -33,43% до -31,25%, в то время как объем выработки электроэнергии на газе резко снизится с 18,90% до -26,68%, как доля солнечных фотоэлектрических систем. увеличивается. Отрасль IRO, которая имеет наивысшую интенсивность выбросов парниковых газов, также следует аналогичной схеме в условиях перекрывающегося регулирования. Однако лучше избегать ситуации, когда расширение возобновляемых источников энергии заменяет выработку электроэнергии на газе, а не на угле.Это связано с тем, что это не только вызывает проблемы с выбросами парниковых газов, но также увеличивает выбросы загрязнителей воздуха, таких как PM _2,5 , что делает загрязнение воздуха и проблемы общественного здравоохранения в Корее более серьезными [11]. EU ETS и другие схемы принимают меры, чтобы избежать этого явления, когда частично совпадающие нормативные акты стимулируют использование ископаемых видов топлива, и они в основном озабочены предотвращением чрезмерного падения цен на углерод. Эти меры включают корректировку целевых показателей сокращения, ограничение использования международных углеродных кредитов и использование резерва стабильности рынка для ввода или вывода ликвидности на рынок для стабилизации цен [37].Также предлагаются корректировка охвата секторов ETS, уменьшение суммы выданных разрешений сектору возобновляемых источников энергии и взаимодействие между сертификатами возобновляемых источников энергии и углеродными рынками [38]. Корейская ETS оснащена различными вариантами дизайна для поддержания уровня цен на углерод, такими как использование резерва стабильности рынка, регулирование банковской деятельности и заимствования кредитов, а также ограничение использования международных компенсаций. Эти меры могут применяться, когда на практике возникает проблема с дублированием регулирования.

Произошла ошибка при настройке вашего пользовательского файла cookie

Произошла ошибка при настройке вашего пользовательского файла cookie

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.

Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

• В вашем браузере отключены файлы cookie.Вам необходимо сбросить настройки вашего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
• Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, используйте кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
• Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
• Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie.Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
• Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

Почему этому сайту требуются файлы cookie?

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу.Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.

Что сохраняется в файлах cookie?

Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

Как правило, в cookie-файлах может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта.